顧彪，男，1938.9.出生，教授，博士生指導教師，遼寧省核學會副理事長。作為主要骨幹參加並完成了我國第一台30Mev 電子感應加速器的設計與研製。69—90在核工業西南物理研究院從事電漿理論與實驗研究，其中1980—82在美國UCLA套用電漿物理實驗室從事波與電漿相互作用方面的實驗研究，研究了共振吸收引起的電漿波碎、超熱電子、弧子 等非線性問題，獨立提出的使波碎理論完備化的第二波碎條件得到了國際同行的承認。84年後主持585磁鏡聚變研究，負責並完成了多項磁鏡電漿的約束、加熱、與不穩定性方面的研究課題，曾獲核工業部科技進步獎三次。84—85任聯合國原子能機構磁鏡聚變研究技術委員會委員。1990年調入大連理工大學，負責籌備並建成了電磁工程系。幾年來曾負責完成了兩項自由基金（和一項國家九五863項目，在國內首次生長出了立方GaN單晶膜，受到國內外同行專家的注意與重視。目前，作為項目負責人與主要參加者正進行兩項國家自然科學基金----“常壓輝光放電電漿特性及其對丙綸織物改性的研究”與“自組裝GaN量子點結構的ECR-PAMOCVD生長與特性”的研究。1997年曾獲省教委科技進步獎；並曾作為電漿學科負責人參加了一項重點基金“脈衝電暈放電電漿活化法脫除煙氣中的SO2 與NOx”，該重點基金已完成並發展為八五與九五國家重點攻關項目；此外，還承擔與完成了多項省市級關於高速鋼深冷改性及電漿化纖改性的技術開發項目。發表論文與報告100餘篇。
基本介紹
- 中文名：顧彪填寫人物中文名或其中文譯名
- 出生日期：1938.9
- 職業：教授，博士生指導教師
人物簡介,社會兼職,研究領域（研究課題）,出版著作和論文,
人物簡介
顧彪，男，1938.9.出生，教授，博士生指導教師，遼寧省核學會副理事長。
社會兼職
遼 寧 省 核 學 會 付 理 事 長
研究領域（研究課題）
1, ECR與感應耦合電漿特性的理論與實驗研究
2, ECR電漿增強MOCVD生長GaN的特性於生長工藝的研究。
3, DBD及常壓輝光放電電漿特性及對化纖與高分子材料的改
出版著作和論文
（3）最有代表性的論文、專著情況
（論文請按國際期刊、國際會議、國核心心期刊分類列出）
論文
序號 論文、專著、獲獎項目名稱 發表刊物或出版單位、時間 被SCI、EI索引
時間 署名次序
1 ECR Plasma in Growthof C-GaN by LowPressure MOCVD <Plasma Chemistry and PlasmaProcessing>(Vol.22,No:1)(2002):P.161-175 SCI刊物 1
2 GaN基材料及其在短波光電器件領域的套用。 <高技術通訊> Vol.12（2002）:104-110 EI刊物 1
3 常壓輝光放電的建立及其特性實驗研究. 《佳木斯大學學報》（自然科學版）19卷，NO：2（2001）： P.125-129
24 Investigation of GaNGrowth Directly onSi(001) by ECR Plasma Enhanced MOCVDInte. conf. on surface and interface science and engineering, (July 31- August 2, 2001, Shenzhen, P. R. China):67
國際會議 1
5 GaN生長工藝流程實時測控系統 《大連理工大學學報》Vol.41,No.6,(2001.11):701-706EI刊物 26 The effects of GaAs substrate nitridationwith N2–H2 plasma onc–GaN epitaxygrowth by ECR–PEMOCVD. 《Chinese Journal of Luminescence》Vol.22(2001) : 24-28 EI刊物 2
7 ECR Plasma in Growth of Cubic GaN by low Pressure MOCVD (Invited lecture) Proc. Of 14th Inte. Symp.on Plasma Chemistry (Aug. 2-6 1999, Prague, Czec)Vol.III: 1487-90 大型國際會議
邀請報告 1
8 無聲放電對聚酯織物表面的電漿接枝改性 <大連理工大學學報>39卷（1999）：726-9 EIP 00095310792 1
9 Activated Nitrogens inECR Plasma and itsEffects on Growth of Cubic GaN IEEE Inte. Conf. on Plasma Science(June,1998.North Raleigh Hilton, North Carolina, USA）P。182-6 EIP 98084343850 1
10 Roles of Plasma in Heteroepitaxy of Cubic GaN (Invited lecture) Proc. Inte Topical Meetion onIII-V Nitride Material andDevice, (Aug17-22, 1998 Beijing, China): P49-51 國際會議
邀請報告 1
11 GaAs襯底上異質外延的立方GaN薄膜與界面 半導體學報.19(4),(1998):241-44EIP.99084738907,CA. 12995924w1998 1
12 高分子材料表面改性過程的動力學機制 大連理工大學學報38（5）(1998):529—33 EIP99034620115 2
13 （001）GaA襯底上立方GaN的低溫生長《稀有金屬》Vol.22（3）（1998）:143-145EI刊物 1
14 聚合物表面電漿接枝共聚改性 <大連理工大學學報>Vol.38(2) (1998):p248 EI刊物 2
15 Plasma Pretreatment ofGaAs Substrates and ECR-PAMOCVD of Cubic GaN Proc. Of 2nd Inte. Symp. OnBlue Laser and Light Emitting Diodes (Sep. 29- Oct. 2 1998 Chiba, Japan)：524-527 ISTP1998 1
16 深冷處理引起高速鋼的性能改善與微結構變化 《大連理工大學學報》Vol.37（3）(1997)：285-289 EI99084738907, CA。129195924 1
17 Low Temperature Growth of Cubic GaN by ECR Plasma Assisted MOCVD 13-th Inte. Symp. On Plasma Chemistry, vol. III (1997,8.18 Beijing): P.1141-1146 大型國際會議報告 118 氮ECR微波電漿的電子能量分布 核聚變與電漿物理17（3）(1997)：P45-50 EI刊物 2
