基本介紹
- 中文名：顧彪
- 國籍：中華人民共和國
- 民族：漢
- 出生日期：1938年9月
- 職業：博士生指導教師
- 畢業院校：北京大學技術物理系
- 主要成就：獲核工業部科技進步獎三次
人物經歷,研究方向,主要貢獻,
人物經歷
1959年畢業於北京大學技術物理系，1959—69留北大從事加速與核物理科研及教學。作為主要骨幹參加並完成了中國第一台30Mev 電子感應加速器的設計與研製。1969—1990在核工業西南物理研究院從事電漿理論與實驗研究，其中1980—1982在美國UCLA套用電漿物理實驗室從事波與電漿相互作用方面的實驗研究，研究了共振吸收引起的電漿波碎、超熱電子、弧子 等非線性問題，獨立提出的使波碎理論完備化的第二波碎條件得到了國際同行的承認。1984年後主持585磁鏡聚變研究，負責並完成了多項磁鏡電漿的約束、加熱、與不穩定性方面的研究課題，曾獲核工業部科技進步獎三次。1984—1985任聯合國原子能機構（IAEA）磁鏡聚變研究技術委員會委員。1990年調入大連理工大學，負責籌備並建成了電磁工程系（現電氣工程系）。
研究方向
1,ECR與感應耦合電漿特性的理論與實驗研究
2,ECR電漿增強MOCVD生長GaN的特性於生長工藝的研究。
3,DBD及常壓輝光放電電漿特性及對化纖與高分子材料的改變。
主要貢獻
幾年來曾負責完成了兩項自由基金（19175011，19575006）和一項國家九五863（715-011-0033）項目，在國內首次生長出了立方GaN單晶膜，受到國內外同行專家的注意與重視。目前，作為項目負責人與主要參加者正進行兩項國家自然科學基金----“常壓輝光放電電漿特性及其對丙綸織物改性的研究”（10075010） 與“自組裝GaN量子點結構的ECR-PAMOCVD生長與特性”（69976008）----- 的研究。1997年曾獲省教委科技進步獎；並曾作為電漿學科負責人參加了一項重點基金（59137070）—“脈衝電暈放電電漿活化法脫除煙氣中的SO2 與NOx”，該重點基金已完成並發展為八五與九五國家重點攻關項目；此外，還承擔與完成了多項省市級關於高速鋼深冷改性及電漿化纖改性的技術開發項目。1980年以來發表論文與報告100餘篇。
出版著作和論文：
⑶最有代表性的論文、專著情況
（論文請按國際期刊、國際會議、國核心心期刊分類列出）
論文
序號 論文、專著、獲獎項目名稱 發表刊物或出版單位、時間 被SCI、EI索引
時間 署名次序
1 ECR Plasma in Growth
of C-GaN by Low
Pressure MOCVD <Plasma Chemistry and Plasma
Processing>(Vol.22,No:1）
（2002）：P.161-175 SCI刊物 1
2 GaN基材料及其在短波
光電器件領域的套用。<；高技術通訊> Vol.12（2002）：104-110 EI刊物 1
3 常壓輝光放電的建立
及其特性實驗研究. 《佳木斯大學學報》（自然科學版）19卷，NO：2（2001）： P.125-129
2
4 Investigation of GaN
Growth Directly on
Si(001） by ECR Plasma Enhanced MOCVD
Inte. conf. on surface and interface science and engineering,(July 31- August 2,2001,Shenzhen,P. R. China):67
國際會議 1
5 GaN生長工藝流程
實時測控系統 《大連理工大學學報》Vol.41,No.6,
（2001.11）：701-706
EI刊物 2
6 The effects of GaAs substrate nitridation
with N2–H2 plasma on
c–GaN epitaxy
growth by ECR–PEMOCVD. 《Chinese Journal of Luminescence》
Vol.22（2001） : 24-28 EI刊物 2
7 ECR Plasma in Growth of Cubic GaN by low Pressure MOCVD （Invited lecture) Proc. Of 14th Inte. Symp.on Plasma Chemistry (Aug. 2-6 1999,Prague,Czec)
Vol.Ⅲ： 1487-90 大型國際會議
邀請報告 1
8 無聲放電對聚酯織物表面的電漿接枝改性 <；大連理工大學學報>
39卷（1999）：726-9 EIP 00095310792 1
9 Activated Nitrogens in
ECR Plasma and its
Effects on Growth of
Cubic GaN IEEE Inte. Conf. on Plasma Science(June,1998.North Raleigh Hilton,North Carolina,USA）P。182-6 EIP 98084343850 1
10 Roles of Plasma in Heteroepitaxy of Cubic GaN （Invited lecture) Proc. Inte Topical Meetion on
Ⅲ-V Nitride Material and
Device,(Aug17-22,1998 Beijing,China): P49-51 國際會議
邀請報告 1
11 GaAs襯底上異質外延的
立方GaN薄膜與界面 半導體學報.
19⑷，（1998）：241-44
EIP.
99084738907,
CA. 12995924w1998 1
12 高分子材料表面改性
過程的動力學機制 大連理工大學學報
38⑸（1998）：529—33 EIP
99034620115 2
13 （001）GaA襯底上立方GaN
的低溫生長
《稀有金屬》
Vol.22⑶（1998）：143-145
EI刊物 1
14 聚合物表面電漿
接枝共聚改性 <；大連理工大學學報>
Vol.38⑵ （1998）：p248 EI刊物 2
15 Plasma Pretreatment of
GaAs Substrates and ECR-PAMOCVD of Cubic GaN Proc. Of 2nd Inte. Symp. On
Blue Laser and Light Emitting Diodes (Sep. 29- Oct. 2 1998 Chiba,Japan）：524-527 ISTP
1998 1
16 深冷處理引起高速鋼的性能改善與微結構變化 《大連理工大學學報》
Vol.37⑶（1997）：285-289 EI99084738907,CA。129195924 1
17 Low Temperature Growth of Cubic GaN by ECR Plasma Assisted MOCVD 13-th Inte. Symp. On Plasma Chemistry， vol. Ⅲ （1997,8.18 Beijing): P.1141-1146 大型國際會議
報告 1
18 氮ECR微波電漿的
電子能量分布 核聚變與電漿物理
17⑶（1997）：P45-50 EI刊物 2
