預充電時間,計算機用語,意思是CAL潛伏期。
基本介紹
- 中文名:預充電時間
- 外文名:CAS Latency
- 解釋:CAL潛伏期
- 現象:預充電有效周期
預充電時間,計算機用語,意思是CAL潛伏期。
預充電時間,計算機用語,意思是CAL潛伏期。...... 預充電時間,計算機用語,意思是CAL潛伏期。中文名 預充電時間 外文名 CAS Latency 解釋 CAL潛伏期 現象 預充...
RAS Precharge Time 行預充電時間,記憶體指標之一。記憶體從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。在發出預充電命令之後,要經過一段時間才能允許傳送RAS行有效命令...
從DRAM的非活動行讀取第一位記憶體的時間是TRCD+ CL。 行預充電時間 TRP 發出預充電命令與打開下一行之間所需的最小時鐘周期數。從一個非正確打開行的DRAM讀取...
在FRAM讀操作後必須有個"預充電"過程,來恢複數據位。增加預充電時間後FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,如圖3(a)所示,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。圖3(b...
tRAS是(Active to Precharge Delay)的縮寫,用來實現有效至行預充電時間。指從收到一個請求後到初始化RAS(行地址選通脈衝)開始接受數據的間隔時間。...
第二個數字表示記憶體行地址到列地址的延遲時間(RAS to CAS Delay),即tRCD。第三個數字表示從記憶體行地址控制器預充電時間(RAS Precharge),即tRP。指記憶體從結束一...
tRAS在記憶體規範的解釋是Active to Precharge Delay,行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求後到初始化RAS(行地址選通脈衝)真正開始接受數據的間隔時間。...
第二個數字表示的是RAS-CAS延遲,接下來的兩個數字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數字一般而言是它們中間最大的一個。...
RAS# Precharge:列地址控制器預充電時間,簡稱tRP,表示對迴路預充電所需要的時鐘循環數,以決定列地址。同樣以時鐘周期數為單位,也是越小越好。...
在FRAM讀操作後必須有個"預充電"過程,來恢複數據位。增加預充電時間後FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,如圖3(a)所示,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。圖3(b...