《非晶金剛石薄膜場致電子發射機理及套用的研究》是依託中山大學，由陳軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。
《非晶金剛石薄膜場致電子發射機理及套用的研究》是依託中山大學，由陳軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要本項目將首先研究磁過濾法製備的非金剛石薄膜的場致電子發射機制，找出非晶金剛石薄膜性質與場致電子發射之間的關係。...
金剛石薄膜是一種負電子親和勢材料，其相應的功函式為0.2eV~0.3eV，比鉬和矽的功函式小很多。實驗研究表明，非晶金剛石薄膜場發射所需的表面電場強度為 V/cm，比鉬和矽低2個數量級，因此用金剛石薄膜作場發射陰極時不需要做成尖錐狀，普通的薄膜點陣形狀就可，因此工藝大大簡化，成本也可隨著降低，電流密度...
對薄膜擇優生長提供理論依據。合成的非晶金剛石薄膜最高sp（3）鍵含量達93.5%，其密度和顯微硬度接近天然金剛石的相應值。研究發現這種非晶金剛石薄膜具有優良的場致電子發射特性，發射閾值場僅為15V/μm，達到了國際選進水平。這種薄膜將在真空微電子冷陰極上有廣闊的套用前景。
Spindt型陰極在場發射顯示屏的套用主要要求其均勻性和一致性，而對發射電流大小沒有過高的要求，大面積均勻刻蝕技術是制約場發射顯示屏朝大尺寸發展的一個障礙。低控制電壓、大面積、均勻一致性好、穩定可靠、耐轟擊、長壽命陰極的開發是場致發射顯示器的關鍵。類金剛石薄膜表面的負電子親合勢引起了對類金剛石發射體...
《非晶金剛石的納米金剛石相變》是依託中山大學，由楊國偉擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 套用脈衝雷射誘導液-固界面反應(PLIIR)方法,首先對磁過濾陰極真空弧(FCVA)沉積的非晶金剛石薄膜進行納米尺度內表面金剛石晶化即非晶碳向金剛石相變的研究,並且,基於我們已建立的納米熱力學成核理論,給出這種非晶金剛石與...
62場電子發射和冷陰極製備143 621電子發射類型143 622場致發射方程——FN公式143 623金剛石在FED中的套用145 624金剛石薄膜的場發射性能148 63場發射機理151 631幾種模型151 632影響金剛石場發射的主要因素159 參考文獻161 第7章金剛石薄膜X射線視窗和光刻掩模版164 ...
石墨結構抑或是晶界區域。同時，以經典的場發射理論為基礎，構建新的納微尺度下的理論模型進行半定量理論計算以解釋新的實驗現象。此項課題的研究對納米金剛石套用在大面積場發射電子器件領域（材料預備和處理，器件製造工藝和技術方法等方面）具有十分重要的基礎指導意義和套用價值。
3.5 類球狀微米金剛石聚晶膜的製備及場致電子發射特性 參考文獻 4 納米石墨薄膜製備及場致電子發射特性 4.1 石墨晶體結構 4.2 石墨的物理化學特徵 4.3 納米石墨薄膜製備與場致電子發射特性 參考文獻 5 碳納米管薄膜製備及場致電子發射特性 5.1 碳納米管的結構 5.2 碳納米管的物理化學特性及其套用 5...
第3章 金剛石薄膜及相關材料 3．1 概述 3．2 金剛石薄膜 3．3 類金剛石膜（DLC）3．4 立方氮化硼薄膜 3．5 B-C3N4薄膜 3．6 BCN薄膜 3．7 其他硬質薄膜 3．8 寬頻隙薄膜材料場電子發射研究的現狀與問題 參考文獻 第4章 納米薄膜材料與可見光發射 4．1 概述 4．2 發光機理及Si發光面臨的...
《類金剛石膜的製備性能與套用》是2004年科學出版社出版的圖書，作者是彭鴻雁，趙立新。內容簡介 本書介紹了類金剛石膜的結構、性能、主要製備方法及套用領域；闡述了脈衝雷射濺射法製備薄膜材料的機理和套用情況；研究了在高功率、高重複頻率準分子雷射作用條件下製備類金剛石膜的結果和以場發射平板顯示器為套用方向的...
