裝配整體結構體系的研究

《裝配整體結構體系的研究》是依託武漢理工大學，由周旺華擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：裝配整體結構體系的研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：周旺華
• 依託單位：武漢理工大學
• 負責人職稱：副教授
• 申請代碼：E08
• 研究期限：1987-01-01 至 1990-07-01
• 批准號：58670217
• 支持經費：3.5（萬元）

項目摘要

採用新穎的真空過濾孤沉積（FAD）技術合成了優質氮化鈦薄膜和非晶金剛石薄膜，對FAD薄膜的生長、結構、性能及物理過程進行深入系統研究。合成的氮化鈦薄膜最高顯微硬度值達46GPa表面平均粗糙度僅為0.3nm左右。首次實現了氮化鈦薄膜三種織構的邊疆生長，觀察到織構轉變的臨界厚度和偏壓。提出澱積能新概念，建立總能量和區域結構模型，分析了氮化鈦薄膜織構演變的內在機制，對薄膜擇優生長提供理論依據。合成的非晶金剛石薄膜最高sp（3）鍵含量達93.5%，其密度和顯微硬度接近天然金剛石的相應值。研究發現這種非晶金剛石薄膜具有優良的場致電子發射特性，發射閾值場僅為15V/μm，達到了國際選進水平。這種薄膜將在真空微電子冷陰極上有廣闊的套用前景。