霍爾係數

霍爾效應(Hall effect)是指當固體導體放置在一個磁場內,且有電流通過時,導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊,繼而產生電壓(霍爾電壓)的現象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性,可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子(自由電子)之運動所造成。霍爾效應於1879年由埃德溫·赫伯特·霍爾(Edwin Herbert Hall)發現。

除導體外,半導體也能產生霍爾效應,而且半導體的霍爾效應要強於導體。

基本介紹

  • 中文名:霍爾係數
  • 外文名:Hall effect
定義,霍爾效應,參見,

定義

霍爾元件套用的基本原理是霍爾效應。霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場,則在寬度Y方向上會產生電動勢UH,這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢,其大小可表示為:
UH=RH*IC*B/d(1)
式中,RH稱為霍爾係數,它的單位是米的三次方每庫侖,由半導體材料的性質決定;d為半導體材料的厚度,IC 為電流,B為磁場強度
設RH/d=K,則式(1)可寫為:
UH=K*IC*B (2)
可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,K稱為乘積靈敏度。K值越大,靈敏度就越高;元件厚度越小,輸出電壓也越大。
在式(2)中,若控制電流IC,為常數,磁感應強度B與被測電流成反比,就可以做成霍爾電流感測器;另外,若仍固定IC為常數,B與被測電壓成正比,又可製成霍爾電壓感測器

霍爾效應

霍爾效應(Hall effect)是指當固體導體放置在一個磁場內,且有電流通過時,導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊,繼而產生電壓(霍爾電壓)的現象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性,可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子(自由電子)之運動所造成。霍爾效應於1879年由埃德溫·赫伯特·霍爾(Edwin Herbert Hall)發現。
除導體外,半導體也能產生霍爾效應,而且半導體的霍爾效應要強於導體。

參見

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