基本介紹
- 中文名：量子反常霍爾效應
- 外文名：Quantum anomalous Hall effect
- 學科：物理學
- 領域：凝聚態物理
- 發現時間：1980年德國科學家
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名詞解釋
我們使用計算機的時候，會遇到計算機發熱、能量損耗、速度變慢等問題。這是因為常態下晶片中的電子運動沒有特定的軌道、相互碰撞從而發生能量損耗。而量子霍爾效應則可以對電子的運動制定一個規則，讓它們在各自的跑道上“一往無前”地前進，“這就好比一輛高級跑車，常態下是在擁擠的農貿市場上前進，而在量子霍爾效應下，則可以在‘各行其道、互不干擾’的高速路上前進。”
然而，量子霍爾效應的產生需要非常強的磁場，“相當於外加10個計算機大的磁鐵，這不但體積龐大，而且價格昂貴，不適合個人電腦和攜帶型計算機。”而量子反常霍爾效應的美妙之處是不需要任何外加磁場，在零磁場中就可以實現量子霍爾態，更容易套用到人們日常所需的電子器件中。
重要性
1、量子反常霍爾效應使得在零磁場的條件下套用量子霍爾效應成為可能；
2、這些效應可能在未來電子器件中發揮特殊的作用，可用於製備低能耗的高速電子器件。
科研歷史
理論計算得到的磁性拓撲絕緣體多層膜的能帶結構和相應的霍爾電導。
“量子反常霍爾效應”是多年來該領域的一個非常困難的重大挑戰，它與已知的量子霍爾效應具有完全不同的物理本質，是一種全新的量子效應；同時它的實現也更加困難，需要精準的材料設計、製備與調控。
1988年，美國物理學家霍爾丹提出可能存在不需要外磁場的量子霍爾效應，但是多年來一直未能找到能實現這一特殊量子效應的材料體系和具體物理途徑。
2010年，中科院物理所方忠、戴希帶領的團隊與張首晟教授等合作，從理論與材料設計上取得了突破，他們提出Cr或Fe磁性離子摻雜的Bi2Te3、Bi2Se3、Sb2Te3族拓撲絕緣體中存在著特殊的V.Vleck鐵磁交換機制，能形成穩定的鐵磁絕緣體，是實現量子反常霍爾效應的最佳體系[Science，329, 61（2010）]。他們的計算表明，這種磁性拓撲絕緣體多層膜在一定的厚度和磁交換強度下，即處在“量子反常霍爾效應”態。該理論與材料設計的突破引起了國際上的廣泛興趣，許多世界頂級實驗室都爭相投入到這場競爭中來，沿著這個思路尋找量子反常霍爾效應。
研究過程
測量到的霍爾電阻介紹
薛其坤團隊經過近4年的研究，生長測量了1000多個樣品。最終，他們利用分子束外延方法，生長出了高質量的Cr摻雜（Bi，Sb）2Te3拓撲絕緣體磁性薄膜，並在極低溫輸運測量裝置上成功觀測到了量子反常霍爾效應。
意義
中國科學家領銜的團隊首次在實驗上發現量子反常霍爾效應。這一發現或將對信息技術進步產生重大影響。
在美國物理學家霍爾1880年發現反常霍爾效應133年後，終於實現了反常霍爾效應的量子化的觀察，這一發現是相關領域的重大突破，也是世界基礎研究領域的一項重要科學發現。
理論計算得到霍爾電導
理論計算得到霍爾電導由於人們有可能利用量子霍爾效應發展新一代低能耗電晶體和電子學器件，這將克服電腦的發熱和能量耗散問題，從而有可能推動信息技術的進步。然而，普通量子霍爾效應的產生需要用到非常強的磁場，因此套用起來將非常昂貴和困難。但量子反常霍爾效應的好處在於不需要任何外加磁場，這項研究成果將推動新一代低能耗電晶體和電子學器件的發展，可能加速推進信息技術革命進程。
美國科學家霍爾分別於1879年和1880年發現霍爾效應和反常霍爾效應。1980年，德國科學家馮·克利青發現整數量子霍爾效應，1982年，美國科學家崔琦和施特默發現分數量子霍爾效應，這兩項成果分別於1985年和1998年獲得諾貝爾物理學獎。
突破
由清華大學薛其坤院士領銜，清華大學、中科院物理所和史丹福大學研究人員聯合組成的團隊在量子反常霍爾效應研究中取得重大突破，他們從實驗中首次觀測到量子反常霍爾效應，這是中國科學家從實驗中獨立觀測到的一個重要物理現象，也是物理學領域基礎研究的一項重要科學發現。
國際同行評價
實驗結果公布後，薛其坤曾應邀去日本作學術報告。作為在世界上和中國科學家研究水平最相近的“老對手”，日本科學家給他發來了郵件，稱讚“這是我在過去十年里聽到的最好的學術報告，我們真沒有想到你們最終發現了這一美妙現象”，“這非常非常令人激動”。
研究團隊成員
研究團隊成員另一位美國知名物理學家也向課題組發來郵件，“看到你們的結果，我真感覺有些嫉妒。但回過頭想起來，這個工作巨大的難度也確實讓我們嘆為觀止”。
美國《科學》雜誌的匿名評審則給出了這樣的評價，“這篇文章結束了對量子反常霍爾效應多年的探尋，這是一項里程碑式的工作。我祝賀文章作者們在拓撲絕緣體研究中作出的重大突破。”
諾貝爾物理獎得主、清華大學高等研究院名譽院長楊振寧教授評價其為“諾貝爾獎級的發現”。
