電子束直寫電子光學系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的計量儀器,於2013年6月2日啟用。
基本介紹
- 中文名:電子束直寫電子光學系統
- 產地:英國
- 學科領域:工程與技術科學基礎學科
- 啟用日期:2013年6月2日
- 所屬類別:計量儀器 > 光學計量儀器
電子束直寫電子光學系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的計量儀器,於2013年6月2日啟用。
電子束直寫電子光學系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的計量儀器,於2013年6月2日啟用。技術指標技術指標:二次電子像解析度:1.3nm (20kV);1.5nm (15kV);2.8nm (1kV) 放大倍率:1...
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電子束管電子光學系統電極命名方法 《電子束管電子光學系統電極命名方法》是2000年12月28日發布的一項行業標準。備案信息 備案號:8115-2001
NBL 電子束曝光機是一款基於 SEM 電子束曝光系統的直寫設備,如圖 1所示,它主要由主機、邏輯電路、高壓電櫃、觸摸控制四個部分組成。NBL 的電子光學曝光部分如圖 2所示,主要包括電子槍、聚光鏡、電子偏轉部分。它採用的是熱場發射電子...
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總共價值1億多元;建立了國內最早的納米加工實驗平台:裝備了解析度30nm的JEOL JBX-5000LS電子束光刻系統,解析度350nm的MEBES 4700電子束製版系統,JBX-6AII電子束製版系統,光學製版系統,反應離子刻蝕機,電子束鍍膜系統,光學曝光機等先進加工...
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電子束光學鍍膜機系統 電子束光學鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2005年1月1日啟用。技術指標 極限真空度8E-4Pa;光譜監控波長範圍1430nm至1630nm;光譜獲取時間少於50ms。主要功能 光學薄膜生長。
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美國矽谷的離子診斷(Ion Diagnostic)公司開發了微型電子束矩陣,可同時平行直寫,稱電子束曝光系統(MELS),它設計了201個電子光學柱,每柱32電子束,用於300mm片子的曝光。電子束的產生採用微細加工方法製造的場致發射冷陰極,每束供...
其主要的製作方法有二元光學技術、電子束直寫技術以及灰度掩模技術等方法。(1)二元光學技術 上世紀八十年代中期,美國MIT林肯實驗室Veldkamp領導的研究組在設計新型的感測系統中,率先提出了“二元光學’’的概念。它不同於傳統的製作方式...
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在電子束曝光機中,人們已經非常注意了柵極電位對於束流和束斑的影響(圖2-17是柵極電位對陰極透鏡等位面影響的示意圖),但是,陰、柵兩電極間的距離也同樣對於束流和束斑有著很大影響。套用情況 在現代電子束曝光機中,電子光學系統...