雙面對準曝光機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年4月12日啟用。
基本介紹
- 中文名:雙面對準曝光機
- 產地:美國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2012年4月12日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電路板製造工藝實驗設備
雙面對準曝光機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年4月12日啟用。
雙面對準曝光機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年4月12日啟用。技術指標主要規格:1、光源:350WNUV;2、雙CCD、雙面對準系統;CCD圖像倍率:180x~1200x;2個17寸LCD監視器;3、支持...
雙面曝光機是一種用於物理學領域的儀器,於2005年6月1日啟用。技術指標 上下掩膜對準行程範圍:X向 ±4mm,Y向 ±4mm,θ向 ±7.5°;掩膜對基片對準行程範圍:X向 ±4mm,Y向 ±4mm,θ向 ±5°; 掩膜對基片對準精度 ±4μm;機械手Z向行程:≤5mm;物鏡分離距離:26~70mm;曝光面積:Ф110mm;...
- 6襯底、碎片(單片)掩模版尺寸:最大7對準精度:光刻對準:頂部對準0.5um 底部對準1um鍵合對準:玻璃/矽0.5um 矽/矽1.0um曝光精度:1um曝光模式:軟接觸、硬接觸、真空接觸、接近式曝光曝光參數:350nm-450nm波長汞燈功率:350W-450W光強均勻性:4 主要功能 可以進行單次曝光,單面套刻,雙面套刻。
雙面光刻機包括運動控制系統、圖像處理系統、系統軟體、數據I/O處理控制單元。高精度單面光刻 針對各大專院校、企業及科研單位,對光刻機使用特性研發的一種高精度光刻機,中小規模積體電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研製和生產。高精度對準工作檯、雙目分離視場CCD顯微顯示系統、曝光頭、氣動系統、...
高分辨雙面對準曝光機是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2006年11月1日啟用。技術指標 曝光:UV 365nm近紫外光源,11.8mw/cm2 @ 365nm (350W), 6英寸均勻光束;通道恆定光強控制器,均勻性為±2-3%( 4英寸),±3-5%(6英寸),光刻解析度0.6μm;接近、和真空硬接觸、軟接觸3種模式...
5um,BSA為1.0um;光強均勻性在6寸片範圍內小於2%。 以汞燈為紫外光源,配合複雜的光路系統,實現均勻、高能量和較為準直的單色光束,可以對光刻膠進行曝光。同時系統配有對準顯微裝置(單面和雙面).主要用於大面積快速紫外曝光的常見微納加工工藝。主要用於大面積快速紫外曝光的常見微納加工工藝。
先進制造技術之——IC&MEMS製造技術及其發展趨勢(續前),電子工業專用設備,2003(1)8.王志越,雙面對準曝光中關鍵技術研究,電子工業專用設備,2000(3) 1 9.王志越,BG-102分步光刻機,國家科技成果,2002年,排名第四 10.王志越,特種器件用雙面曝光機,電子工業部科技進步二等獎,1998年,排名第一 ...
雙面對準曝光機 半導體光刻工藝製程、光波導光柵、微機電MEMS、、納米壓印。 72 Jetlab噴墨列印設備 可控定向微分配、列印和材料沉積的多功能科研設備。 73 原子沉積系統picosun 用於在原子尺度沉積薄膜的厚度,研究厚度變化性質變化的影響。 74 反應離子刻蝕機 高性價比干法刻蝕設備。 75 曲面電子共形列印設備 曲面...
■ 雙面對準接近式曝光機(美國ABM)■ 迴轉式塗膠機(美國APTO)■ 恆溫式顯影台(台灣)■ 原子力顯微鏡1台(美國產)■ SEM掃描電鏡(日本Seiko)■ 接觸式探針台階輪廓儀(美國Ambios)■ 白光干涉微輪廓測量儀(美國產Plasmastar)■ 電漿刻蝕(PE)除膠機(美國產Plasmastar)■ ICP刻蝕機(國產)■ Bosch工藝乾法體...
( 10 ) 一種利用單面曝光機實現雙面對準光刻的方法, 發明, 2015, 第 2 作者, 專利號: ZL201310342944.2 ( 11 ) 一種新型焦平面陣列電互連工藝, 發明, 2015, 第 2 作者, 專利號: ZL201210375290.9 出版信息 發表論文 (1) Fabrication and characterization of a polymeric curved compound eye, ...