雙異質結雷射器

用多次外延法在砷化鎵基片的兩側各生長一層砷化鎵鋁單晶(一層為p型,一層為n型),分別形成一個砷化鎵鋁-砷化鎵異質結而製成的半導體雷射器。 套用學科 機械工程(...

半導體雙異質結雷射二極體是半導體雷射器的一種,簡稱DH雷射器。...... 半導體雙異質結雷射二極體是半導體雷射器的一種,簡稱DH雷射器。半導體雙異質結雷射二極體...

中文名稱 異質結雷射器 英文名稱 heterostructure laser 定義 有源區為窄直接帶隙半導體材料,限制層為寬頻隙半導體材料所形成的三層結構二極體雷射器。 套用學科 ...

單異質結雷射器可以分為同型異質結(N-n或P-p)和異型異質結(N-p或P-n) 同質PN結:兩邊採用相同半導體材料的PN結稱為同質PN結。 特點: (1)同質PN結兩邊...

同質結雷射器和單異質結雷射器在室溫時多為脈衝器件,而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。 半導體二極體雷射器是最實用最重要的一類雷射器。它體積小、壽命長,...

大光腔雷射器是光學諧振腔較大的異質結雷射器,簡稱 LOC雷射器。 大光腔結構也被套用在製造單模雙異質結雷射器上。採用光和載流子分別限制的辦法,使控制模式和...

雙異質結雷射器是光纖通信和大氣通信的重要光源,如今,凡是長距離、大容量的光信息傳輸系統無不都採用分布反饋式半導體雷射模組(DFB一LD).半導體雷射模組也廣泛地套用...

量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結...

注入式雷射器又稱p-n junction laser,是一款發明於1962年的半導體結型二極體雷射器。...

量子阱雷射器是有源層非常薄,而產生量子尺寸效應的異質結半導體雷射器。根據有源區內阱的數目可分為單量子阱和多量子阱雷射器。量子阱雷射器在閾值電流、溫度特性...

對於InGaAsP/InP雙異質結雷射器,當有源區厚度小於0.5微米時就能得到單一垂直基橫模。側向橫模由採用的條形結構決定,對於發射波長為1.3微米的InGaAsP/InP雙異質結...

因此可以說,沒有半導體雷射器的出現,就沒有當今的光通信.GaAs/AlGaAs雙異質結雷射器是光纖通信和大氣通信的重要光源,如今,凡是長距離、大容量的光信息傳輸系統無不...

二極體雷射器中的P-N結由兩個摻雜的砷化鎵層形成。它有兩個平端結構,平行於一端鏡像(高度反射面)和一個部分反射。...

半導體雷射器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結雷射器和單異質結雷射器在室溫時多為脈衝器件,而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。...

半導體雷射(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續輸出。後來經過改良,開發出雙異質接合型雷射及條紋型構造的雷射二極體(Laser diode)等,...

同質結雷射器和單異質結雷射器在室溫時多為脈衝器件,而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。半導體二極體雷射器是最實用最重要的一類雷射器。它體積小、壽命長,...

常用雷射器儘管發展到目前為止,雷射器的種類繁多,數目不少,但經常為人們所採用...目前效果最好和使用最普遍的是雙異質結型砷化鎵(GaAs/GaAlAs)二極體雷射器(見...

分布反攢雷射器縱向結構與常規異質結雷射器類似(見半導體雷射器),只是引入了光柵以實現反饋功能。圖1給出掩埋條形的分布反饋雷射器結構。...

半導體分布反饋雷射器有多種結構,如同質結、單異質結、雙異質結、光和載流子分別限制異質結、溝道襯底平面結構、具有橫向消失場分布反饋的溝道襯底平面結構、 隱埋...

砷化鎵雷射器具有近紅外高重複頻率和峰值功率較高的特點。和所有半導體雷射器一樣...(SHL),雙異質結(DHL)等,還可以將單管LD組成陣列式(array)或層疊式(stack)...

半導體分布反饋雷射器有多種結構,如同質結、單異質結、雙異質結、光和載流子分別限制異質結、溝道襯底平面結構、具有橫向消失場分布反饋的溝道襯底平面結構、 隱埋...

結室溫脈衝大功率雷射器和面發射高亮度發光管,成功地套用在夜視、引信、打靶和精密測距儀上,並推廣到工廠生產,為後來室溫連續工作的短波長雙異質結雷射器的發展打下...