隧道結巨磁電阻材料，利用自旋極化電子隧穿效應而形成的巨磁電阻材料。
基本介紹
- 中文名：隧道結巨磁電阻材料
- 定義：利用自旋極化電子隧穿效應而形成的巨磁電阻材料
隧道結巨磁電阻材料，利用自旋極化電子隧穿效應而形成的巨磁電阻材料。
隧道結巨磁電阻材料，利用自旋極化電子隧穿效應而形成的巨磁電阻材料。...
磁隧道結是指在兩塊鐵磁薄片之間夾一層厚度約為0.1nm的極薄絕緣層，構成所謂的結元件。在鐵磁材料中，由於量子力學交換作用，鐵磁金 屬的 3d軌道局域電子能帶發生劈裂，使費米(Fermi)面附近自旋向上和向下的電子具有不同的能態密度...
隨後相繼在“鐵磁金屬/非磁性金屬/鐵磁金屬”結構的自旋閥(Spin Valve，SV)，“鐵磁金屬/非磁性金屬”顆粒膜及“鐵磁金屬/非磁性絕緣體/鐵磁金屬”自旋相關隧道結(Spin Dependent Tunneling，SDT)中發現了巨磁電阻效應。
採用微磁學方法從靜態和動力學狀態兩方面計算和模擬上述納米結構體系的結構尺寸、形狀和各種磁參數對微磁結構的影響，磁化和反磁化機制，反轉場和矯頑力的大小以及微磁結構對自旋閥和磁隧道結巨磁電阻效應的影響。納米磁性多層膜結構和磁性...
同時，磁隧道結還具有低功率損耗、低飽和場等特點。MTJ技術已用於製備比自旋閥更先進的磁碟讀出頭，得到的磁記錄密度最高約為200Gb每平方英寸。存儲器 巨磁電阻材料的出現，使得MRAM作為計算機記憶體晶片的構想自然被提出，用於取代體積大...
安徽大學博士科研啟動：巨磁電阻磁敏感測器的研製 （主持）。王寬誠博士後獎勵基金：巨磁電阻和隧道結電阻磁性感測器的研製（主持）。國家973項目：磁性隧道結材料、物理及器件研究（參與）。科技部“納米計畫”項目：基於自旋和量子效應的...
磁隧道結和自旋閥巨磁電阻效應材料與器件，磁性異質結薄膜的自旋動力學，片上集成納米振盪器，自旋波激勵傳輸與調控技術，新型自旋電子材料與器件研究。2. 光電子材料與紅外感測技術研究 通過高真空MBE技術生長半導體薄膜，研究應力調控的Ⅳ...
實驗室的研究工作主要涉及電子全息、電子能量損失譜，高分辨電子顯微學，會聚束電子衍射，準晶、納米材料微結構分析、多種無機材料的結構和相圖，巨磁電阻多層膜及隧道結以及強關聯材料的電荷有序化研究。利用計算機模擬和理論模型化方法對...
以北京科技大學已有的低維磁性材料、磁敏晶片的製備技術、磁敏感測器的設計製造技術為基礎，以特殊功能IC晶片的設計與開發、感測器通用結構設計及磁路最佳化為手段，研究系列磁敏旋轉和線性位移感測器製造技術、高靈敏度隧道結巨磁電阻（TMR）...
自旋電子學微納米器件製備與研究目前課題組在自旋電子學領域具有深厚的研究基礎。研究內容主要包括: 自旋軌道矩的機理和調控，Dzyaloshinskii-Moriya相互作用，Skyrmion，磁性隧道結，巨磁電阻，交換偏置等。新型功能材料探索新型材料，諸如拓撲...