金立川 電子科技大學電子科學與工程學院教授
基本介紹
- 中文名：金立川
- 職稱：電子科技大學電子科學與工程學院教授
教育背景,工作履歷,學術兼職,榮譽獎勵,研究方向,研究條件,
教育背景
2013.05－2014.09 美國德拉瓦大學，自旋電子與生物探測中心，訪問學者
2008.09－2010.06 電子科技大學， 電子信息材料與元器件專業，碩士學位
2004.09－2008.12 電子科技大學， 固體電子專業，學士學位
工作履歷
2015.02始電子科技大學， 微電子與固體電子學院，副教授
學術兼職
擔任Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Transactions on Magnetics期刊審稿人
IEEE學會會員
榮譽獎勵
2011 年，電子科技大學優博培育計畫
2012 年，博士研究生國家獎學金
研究方向
1. 自旋電子薄膜與集成器件研究
磁隧道結和自旋閥巨磁電阻效應材料與器件，磁性異質結薄膜的自旋動力學，片上集成納米振盪器，自旋波激勵傳輸與調控技術，新型自旋電子材料與器件研究。
2. 光電子材料與紅外感測技術研究
通過高真空MBE技術生長半導體薄膜，研究應力調控的Ⅳ族半導體薄膜大尺寸外延生長技術，通過微電子工藝完成PIN紅外二極體設計與製作，光電材料與紅外感測器件廣泛套用於光通信C波段（1.55微米以上），氣體感測和消費電子等領域。此外，新型高遷移率二維半導體薄膜生長也是重點研究方向。
3. 大尺寸GGG單晶提拉生長研究
主要採用提拉法生長4英寸GGG單晶體，長度大於20厘米，經切磨拋後基片可用於純YIG和摻雜YIG單晶薄膜的外延生長，材料廣泛套用於微波器件和光通信磁光器件領域。
研究條件
實驗室研究條件包括：美國進口超高真空（10-10 torr）雷射分子束外延設備，磁控濺射設備，完備的探針台測試平台和超淨間微電子器件加工平台。從信息薄膜的外延生長、微/納米光電子器件光刻、到顯影和離子摻雜擴散都擁有完備的研究設備平台。
