《自旋納電子材料的微磁結構和反磁化機制的研究》是依託中南大學，由郭光華擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：自旋納電子材料的微磁結構和反磁化機制的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：郭光華
- 依託單位：中南大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60571043
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 申請代碼：F0122
- 支持經費：20（萬元）
項目摘要
本項目著重研究自旋納電子材料的磁性多層膜結構、磁性納米點陣列結構、自旋閥和磁隧道結這類磁性納米結構體系的微磁結構、磁化與反磁化機制和矯頑力性質。採用微磁學方法從靜態和動力學狀態兩方面計算和模擬上述納米結構體系的結構尺寸、形狀和各種磁參數對微磁結構的影響，磁化和反磁化機制，反轉場和矯頑力的大小以及微磁結構對自旋閥和磁隧道結巨磁電阻效應的影響。納米磁性多層膜結構和磁性納米點陣列結構是研製超高密度磁記錄介質的主要方案，自旋閥結構、磁隧道結結構是製作各種納米磁性感測器、自旋電子器件和未來磁性隨機動態存儲器（MRAM）的基礎，而研製和開發這些高科技器件，首先必須搞清楚上述磁性納米結構體系的物理性質，尤其是微磁結構、磁化和反磁化機制等磁學性質。由此可見，本項目具有非常重要的套用價值。此外，研究磁性納米結構的結構尺寸效應、反磁化機制和微磁結構對電子自旋輸運過程的影響本身也具有重要的科學意義。
