在微電子技術中,當半導體的勢壘或者二氧化矽薄膜的厚度,薄至與載流子的德布羅意波(de Broglie波)的波長差不多時,即可發生載流子的隧穿效應,從而產生隧穿電流(tunneling current)。
在微電子技術中,當半導體的勢壘或者二氧化矽薄膜的厚度,薄至與載流子的德布羅意波(de Broglie波)的波長差不多時,即可發生載流子的隧穿效應,從而產生隧穿電流(tunneling current)。
在微電子技術中,當半導體的勢壘或者二氧化矽薄膜的厚度,薄至與載流子的德布羅意波(de Broglie波)的波長差不多時,即可發生載流子的隧穿效應,從而產生隧穿電流(...
隧穿磁阻率表示隧道磁電阻效應的電阻大小。鐵磁薄片的磁化方向可以在外磁場的控制下被獨立的切換。如果極化方向平行,那么電子隧穿過絕緣層的可能性會更大,其巨觀...
掃描隧道電子顯微鏡(scanning tunneling microscope,STM)是一種利用量子理論中的隧道效應探測物質表面結構的儀器,利用電子在原子間的量子隧穿效應,將物質表面原子的排列...
鐵磁薄片的磁化方向可以在外磁場的控制下被獨立的切換。如果極化方向平行,那么電子隧穿過絕緣層的可能性會更大,其巨觀表現為電阻小;如果極化方向反平行,那么電子隧...
隨著柵氧化層越來越薄,GIDL 隧穿電流急劇增加。GIDL 產生電流漏pn 結由於反偏,產生率大於複合率,在柵控制下,矽和二氧化矽界面處陷阱充當產生中心而引發的一種柵...
圖4畫出了WT結的直流隧穿特性。圖中實線畫出了二極體的正向電流 ,即電子從異質結構注入到有源層時的電流。這時隧穿電流被AIAS勢壘限制得很低,,強電場下Gunn...
掃描隧道顯微鏡技術是掃描探針顯微術的一種,基於對探針和表面之間的隧穿電流大小的探測,可以觀察表面上單原子級別的起伏。此外,掃描隧道顯微鏡在低溫下可以利用探針尖端...
究中指出隧穿電流對MOS特性的重要影響,發現了輻射效應或熱載子效應所產生的界面陷阱與在界面附近的應變分布有直接的關聯,而據此提出一個“柵誘導的應變分布”模式...
如果積累了電荷的導體直接連線到器件的柵極上,就會在多晶矽柵下的薄氧化層形成F-N 隧穿電流泄放電荷,當積累的電荷超過一定數量時,這種F-N 電流會損傷柵氧化層,...
SET 的工作原理是量子隧穿,主要是金屬-絕緣體-金屬間的隧穿效應。當金屬電極的勢壘足夠窄時,費米能級上的電子就能夠隧穿通過絕緣層, 形成隧穿電流。在分子場...
當入射電子具有與量子阱態相同能量時,電子隧穿量子阱的能力很強。另一種諧振隧穿器件是諧振隧穿電晶體,也是一種電壓控制器件,小的柵壓可以控制流過器件的大電流...