陸嫵

女，漢族，1962年生於新疆。九三學社社員，理學碩士，現任中國科學院新疆理化技術研究所研究員，博士生導師。

基本介紹

• 中文名：陸嫵
• 國籍：中國
• 民族：未知
• 出生地：新疆
• 出生日期：1962年
• 職業：研究員

簡介

陸嫵同志長期從事微電子器件和線性模擬電路的輻射效應、損傷機理及抗輻射加固技術的研究工作。多年來，作為項目負責人及主要完成人，先後主持並承擔了該領域國家863、國家自然科學基金等研究項目二十餘項。曾獲得中科院科技進步一、三等獎各1項；新疆維吾爾自治區科技進步二、三等獎各1項；“八五”中國科學院“先進集體”獎1項。近期主要從事雙極類器件和電路的低劑量率輻射損傷增強效應，以及實驗室加速模擬評估方法的研究。目前已培養研究生9人（博士2人、碩士7人），發表論文90餘篇。

學術兼職

新疆大學的兼職教授，國家自然科學基金的評審專家，《Journal of Semiconductors》、《原子能科學技術》、《NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES》等國核心心期刊的論文評審專家。　陸嫵同志曾獲得中國科學院新疆分院、中國科學院新疆物理研究所、中國科學院新疆理化技術研究所的先進女職工、先進工作者、優秀工作者等榮譽稱號十餘項。2009年獲新疆維吾爾自治區直屬機關“巾幗建功標兵”稱號。

研究領域

1． 模擬電路和器件的總劑量輻射效應及損傷機理研究；

2． 模擬電路和器件的輻射損傷評估方法研究；

3． 模擬電路和器件的抗輻射加固技術研究；

代表文章

1 LU Wu REN Diyuan ZHENG Yuzhan GUO Qi YU Xuefeng ，An Accelerated Simulation Method for ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers Using a Dose-Rate Switching Experiment，Journal of Semiconductors, 2008，29（7）：1286.

2 陸嫵，任迪遠，郭旗，余學峰，艾爾肯，“運算放大器不同劑量率的輻射損傷效應”半導體學報，2005,26（7）：1464.

3 陸嫵，任迪遠，郭旗，余學峰，艾爾肯，“JFET輸入運算放大器不同劑量率的輻照和退火特性”，核技術，2005，28（10）：755。

4 陸嫵，余學峰，任迪遠，艾爾肯，郭旗，“雙極電晶體不同劑量率的輻射效應和退火特性”核技術，2005，28（12）：925。

5 陸嫵，余學峰，任迪遠，郭旗，鄭毓峰，張軍，“輻射感生漏電流對CMOS運算放大器特性的影響”，固體電子學研究與進展，2004，24（2）：182。

其他領域

物理學類其他專業