陷阱輔助隧穿(Trap-Assisted Tunneling )，由於反覆的高壓應力，介電層中出現陷阱，並且陷阱是由電高場應力在寫入和擦除過程中產生的，這些陷阱會讓電子等微觀粒子能夠穿過它們本來無法穿過的“牆壁”。
基本介紹
- 中文名：陷阱輔助隧穿
- 外文名：Trap-Assisted Tunneling
由於反覆的高壓應力，介電層中出現陷阱，並且陷阱是由電高場應力在寫入和擦除過程中產生的。
在低偏壓下增加的隧道電流稱為應力誘導漏電流(SILC)，它主要導致非易失性存儲器件的保留時間的縮短。
應力誘導漏電流的產生和低柵電壓下柵電流的增加是陷阱輔助隧穿(TAT)的物理機制。
