陳翔(南京理工大學教授)

陳翔，男，漢族，浙江金華人。2001年9月-2005年7月，在山東科技大學套用物理學專業學習，獲理學學士學位。2006年9月-2009年7月，在山東科技大學材料學專業學習，獲工學碩士學位，導師為李惠琪教授。2009年9月-2014年7月，在北京科技大學材料物理與化學專業學習，獲工學博士學位，導師為張躍院士。2014年8月-2018年7月，獲韓國政府BK21國家博士後獎學金資助，在韓國延世大學電氣與電子工程學院從事博士後、研究教授工作，合作導師為Jong-Hyun Ahn教授和John A. Rogers院士。2018年9月，入職南京理工大學材料科學與工程學院。現為南京理工大學材料學院教授、院長助理，新型顯示材料與器件工信部重點實驗室常務副主任。

基本介紹

• 中文名：陳翔
• 外文名：Xiang Chen
• 國籍：中國
• 民族：漢族
• 出生地：浙江金華
• 畢業院校：北京科技大學 
• 職業：教師 
• 職稱：教授

科研經歷

• 2018年9月-2021年，南京理工大學，材料科學與工程學院

入選南理工“青年拔尖人才選聘計畫”，現為“二維電子材料與器件課題組”負責人（課題組網址：https://www.x-mol.com/groups/chen_njust），主要研究方向：新型二維電子材料的晶圓級可體戒朵戶控合成及其在集成電子學、柔性電子學、生物電子學中的套用。主持和參與了國家府棕嚷重大科學研究計畫、基金委重點項目、重大研究計畫培育項目、國際合作專項項目、韓國國家研究基金會領導者研究員支持項目、韓國先進軟電子中心全球前沿項目多項。

• 2014年8月-2018年7月，韓國延世大學，電氣與電子工程學院

合作導師Jong-Hyun Ahn教授、美國西北大學John A. Rogers院士，主要研究方向為二維半導體材料的大面積合成和柔性電子學器件研究，涉及：備講圖案化MoS₂的可控生長及MoS₂/Graphene異質結電晶體構築；具有不同堆疊方式MoS₂二維單晶的CVD合成及其光學特性研究；晶圓級高品質MoS₂的MOCVD製備和無損轉移；MoS₂觸覺感測器、MoS₂/Si雜化CMOS換流器的構築及電子皮膚套用研究；MoS₂二維單晶和薄膜的生物降解特性、細胞毒理和組織免疫性及在生物可降解電子學器件中的套用研究。

• 2009年9月-2014年7月，北京科技大學，材元坑元料科學與工程學院

導師張躍院士，主要研究方向為高度有序排列ZnO納米棒陣列的圖案化製備及其染料敏化、異質結太陽能電池套用研究，同時參與了ZnO自驅動與壓電調控光探測器、紫外/藍光發光二極體和太陽光水解制氫等多個課題的研究；協助導師完成國家、省部級項目（973、國家自然科學基金、國際合作、重大儀器專項）的申請、中期、結題工作多次；設計規劃了微納米加工超淨間，設計搭建了多光束雷射干涉曝光系統，協助實驗室培訓和管理大型精密儀器，如原子力顯微鏡、場發射掃描電鏡和磁控濺射儀；2011-2013年協助導師指導三名本科生畢業設計，2013年協助導師指導本科生科技創新項目並獲得國家級一等獎。

• 2006年9月-2009年7月，山東科技大學，材料科學與工程學院

導師李惠琪教授，主要研究方向為利用機械共振提高電漿熔覆Fe基合金塗層的耐磨性能。

• 2005年3月-2005年6月，山東科技大學，理學院

導師周明東、王守海教授，主要研究方向為厚膜積體電路封裝工藝的最佳化。

主持、參與課題

主持項目：

1、國家自然科學基金委員會，重大研究計畫-培育項目（92064007），79 萬元府戀簽歸，2021.01-2023.12；

2、山東省發展和改革委員會，山東省重點扶持區域引進急需緊缺人才項目，200 萬元，2020.03-2021.10；

3、江蘇省科學技術廳，基礎研究計畫-青年基金項目（BK20190476），20 萬元，2019.07-2022.06；

4、南京理工大學，自主科研專項計畫項目-自由探索專項（30919011296），10 萬元，2019.09-2021.08；

5、南京理工大學，中央高校基本科研業務費（AE8991121），20 萬元，2018.09-2020.08。

參與項目：

1、國家自然科學基金委員會，重大研究計畫-培育項目（91964103），80 萬元，2020.01-2022.12；

2、韓國國家研究基金會，領導者研究員支持項目（NRF-2015R1A3A2066337），1346 萬元，2015-2018；

3、韓國先進軟電子中心，全球前沿項目（2014M3A6A5060933、2015R1A3A2066337），96 萬元，2015-2016；

4、中國霸辣欠科技部，國家重大科學研究計畫（2013CB932600），2900 萬元，2013-2017；

5、國家自然科學基金委員會，重點項目（51232001），300 萬元，2013-2017；

6、中國科技部，國家國際科技合作專項項目（2012DFA50990），300 萬元，2012-2015。

實驗技能

• CET-6，擅長英語專業龍采院寫作及日常科研交流；
• 熟練運用Origin、FDTD solutions、Rhinoceros、Microsoft Office等軟體；
• 熟悉材料的多種分析表征手段(OM、SEM、AFM、TEM、Raman、PL、XRD、XPS等)；
• 專業技能：設計並搭建基於雙光束和三光束雷射干涉的曝光系統，以製作超精細光刻膠結構；精通高度有序、周期性排列的Si納米井和ZnO納米棒陣列的製備及光電器件套用；設計並搭建CVD和MOCVD系統，合成晶圓級Graphene、MoS₂等超薄二維材料；精通基於超薄二維材料的電晶體、CMOS、感測器及可降解電子學器件的構築和測試。

研究興趣

1. 新型二維電子材料的理論設計與可控制備；

2. 晶圓級二維半導體材料的氣相、液相合成；

3. 低功耗、高性能的集成電子器件；

4. 可穿戴、超輕薄的柔性電子器件；

5. 可植入、可降解的生物電子器件。

學術成果

現階段，傳統半導體和尖端材料行業基本被國際巨頭所壟斷，相關智慧財產權也被歐美已開發國家牢牢把控。我國在高端技術產業的發展處處受限，高端晶片及其生產技術幾乎全部依賴進口，國家耗費了大量的資金和資源。對於新型半導體材料的探索，低維納米材料的出現有著舉足輕重的意義。尤其，以石墨烯、過渡金屬硫化物（TMDCs）為代表的二維納米材料，擁有帶隙可調、機械性能高和生物安全性良好等優點，且載流子遷移和熱量擴散都被限制在二維平面內，使得相關器件具有高遷移率、開關比及超低功耗，將可能成為未來5 nm以下積體電路的材料基礎，在微電子學、光電子學、柔性電子學、生物晶片、軍事信息等領域有廣闊的套用前景。

近年來，在博士生導師北京科技大學張躍院士、博士後導師韓國延世大學Jong-Hyun Ahn教授及合作導師美國西北大學John A. Rogers院士指導下，聚焦低維材料可控合成與器件套用，取得了一系列成果，授權中韓國家發明專利5項，發表SCI論文30餘篇，包括Nat. Commun.1篇、Adv. Mater.3篇、Adv. Funct. Mater.2篇、Small2篇、Chem. Mater.1篇、NPG Asia Mater.2篇，封面亮點論文4篇，總引用1700餘次，H因子21。具體研究成果分述如下：

1、晶圓級、高質量低維納米材料的原子製造：針對低維材料在合成、轉移和加工過程中存在污損、可控性差等問題，提出了多種調控低維材料潔淨程度、周期分布和晶粒尺寸的新策略。

（1）提出了“表面能輔助水基濕法轉移”新策略，實現了晶圓級高質量二維TMDCs無損轉移；發展了二維TMDCs堆疊方式的調控方法，實現了人工合成TMDCs堆疊方式的無損表征和鑑定。

為解決二維TMDCs在轉移過程中因使用HF刻蝕液導致材料損傷和SiO₂晶圓不可回收等問題，開發了表面能輔助水基濕法轉移技術，用去離子水即可直接轉移4英寸單層MoS₂薄膜，SiO₂晶圓也因沒有被刻蝕破壞而能夠回收再利用（Adv. Funct. Mater., 2018, 28, 1706231）。瑞士洛桑聯邦理工學院Radenovic教授評價為“適用於二維材料大規模轉移的新方法”（Nat. Rev. Mater. 2019, 4, 588）。此外，控制TMDCs合成時的堆疊方向是一個重大挑戰，展示了不同形狀和堆疊方向的MoS₂晶體及其生長動力學，揭示了MoS₂堆疊方向誘導的層間分離以及自旋軌道耦合和對稱性變化，強調了SHG無損表征在快速分辨晶體對稱性和多疇晶相方面的優勢（NPG Asia Mater. 2018, 10, e468）。

（2）提出了“免光刻圖案化合成”新思路，實現了圖案化TMDCs及其范德華異質結電晶體的原位合成；開發了“三光束雷射干涉+水熱法”合成大面積圖案化ZnO納米棒陣列的新方法。

由於二維材料在微加工過程中易受到光刻膠污染，提出“金屬掩膜版+氧電漿刻蝕”處理SiO₂晶圓以誘導生長圖案化MoS₂並原位合成MoS₂/Graphene超薄異質結電晶體的思路（Nanoscale, 2016, 8, 15181，封面文章）。美國麻省理工學院Jing Kong教授評價為“一種更為簡單製作圖案化TMDCs的方案”（PNAS 2019, 116, 3437）。針對一維ZnO納米棒陣列生長無序、可控性差等問題，以三光束雷射干涉法製作超精細PR孔洞模板，完成了陣列限域圖案化生長，促進了相關染料敏化、異質結太陽能電池光電轉換效率的大幅提升（Nanoscale 2014，Nano Res. 2014，ACS Appl. Mater. Interfaces 2015），成果收錄進張躍院士編著的《ZnO Nanostructures》和《半導體納米線功能器件》兩本書中，圖案化ZnO納米棒陣列作為代表性工作被選為兩書的書籍封面。

2、柔性可穿戴、生物可降解人體晶片的設計開發：針對以往可穿戴設備體積龐大、舒適性差和植入式人體晶片無法降解、需二次手術取出等問題，以二維TMDCs薄膜為基礎，設計構建了超薄透明的柔性可穿戴電子皮膚和體內植入式、生物可降解的多功能感測器，實現了體表和體內關鍵生理信號的實時監測，為人體晶片的輕量化設計和性能最佳化提供了新思路。

（1）構建了柔性MoS₂/Si雜化CMOS晶片，展示了二維材料在柔性集成電子學中的巨大潛力；構建了超薄透明的MoS₂/Graphene觸覺感測器陣列，促進了二維材料在電子皮膚領域的套用和發展。

為解決p-MoS₂欠缺使CMOS晶片難以製作的問題，提出了MoS₂為nMOS溝道、Si為pMOS溝道組成雜化CMOS的方案，獲得了高性能電壓傳輸特性（最大電壓增益16，亞納瓦級功耗）（Small 2016, 12, 5720，封面文章）。比利時IMEC的Kris Myny教授評價為“為下一代柔性IC技術提供了新的備選方案”（Nature Electronics 2018, 1, 30）。此外，構建了以MoS₂為半導體激活層、Graphene為導電電極的觸覺感測器，相比傳統應變計，該感測器同時具有光學透明度、機械靈敏度和應變因子高等優點，器件總厚度僅75 nm，可完全貼合在人體皮膚上，且具備串擾低和開關速度高的特點（Adv. Mater. 2016, 28, 2556，封面文章，他引98次）。韓國延世大學Taeyoon Lee教授評價為“該電子皮膚可廣泛套用於智慧型假肢、互動式可穿戴設備、人工機器人手臂、健康監測系統等領域”（Adv. Electron. Mater. 2016, 2, 1600356）。本人及合作者還應邀撰寫了該領域的綜述文章（Adv. Mater. 2016, 28, 4184，他引159次），總結了二維材料在柔性可拉伸電子學中的研究現狀和發展趨勢。

（2）考察了二維TMDCs的生物安全性和可降解性，揭示了本徵缺陷誘發材料降解的規律；構建了可被人體完全吸收的植入式感測器，實現了顱內壓、顱內溫等重要生理信號的短期實時監測。

研究了單層MoS₂在磷酸緩衝鹽溶液中的降解行為，發現了該降解過程是由化學反應活性較高的內部缺陷觸發的（如晶界和空位），缺陷密度越高，降解速度越快，否定了二維TMDCs穩定性高的論斷，驗證了以控制缺陷類型和密度來調控二維TMDCs在體內服役壽命的可行性（NPG Asia Mater., 2018, 10, 810，封面文章）。另外，為解決傳統Si薄膜在構建植入式人體晶片時存在降解速度較快（大於2 nm/day）和承受應變偏低（小於1%）等缺點，研究了單層MoS₂的體外細胞毒性和體內組織免疫性，發現單層MoS₂是一種生物安全且可降解的半導體材料，首次利用單層MoS₂構建了生物可降解植入式感測器，實現了SD大鼠顱內壓力、溫度、應力和加速度的短期探測，推動了二維TMDCs在創傷性腦損傷恢復過程中關鍵生理參數實時監測方面的套用（Nat. Commun., 2018, 9, 1690）。上述成果獲得ChemistryViews和Madriod等網站的亮點報導，被評價為“生物電子醫學的先驅例子”。美國麻省理工學院Ellen T. Roche教授評價為“該可降解植入式感測器可以在不影響人體器官功能的前提下監測器官的變化”（Nature 2019, 565, 298）。美國普渡大學Chi Hwan Lee教授評價為“該感測器具有成本效益和大批量生產的優勢，可為農村偏遠地區的人提供健康監測服務”（Adv. Mater. 2019, 1902051）。本人及合作者應Mater. Horiz.和J. Mater. Chem.編輯Jane Chan的邀請，正在撰寫該領域綜述文章，總結並展望二維材料在生物可降解電子學領域的研究現狀和套用前景。

發表論文

35. Lude Wang, Chendong Dai, Lianfu Jiang, Gangling Tong*, Yunhai Xiong, Karim Khan, ZhongminTang, Xiang Chen* and Haibo Zeng*, Advanced Devices for Tumor Diagnosis and therapy, Small, 2021, 2100003.

34. Anh Tuan Hoang, KairuiQu, Xiang Chen* and Jong-Hyun Ahn*, Large-area synthesis of transition metal dichalcogenides via CVD and solution-based approaches and their device applications, Nanoscale, 2021, 13, 615–633.

33. Ziwei Lin, Ruijuan Guo, Hengze Qu, YaxinHuang, Lili Xu, Xiang Chen*, Xiaoqin Shi, Shengli Zhang*, DFT coupled with EGF study of structural, electronic and transport properties of two-dimensional InOBr, Vacuum, 2020, 182, 109745.

32. Lude Wang, Duo Xu, Lianfu Jiang, Jie Gao, Zhongmin Tang, Xiang Chen* and Han Zhang*, Transition metal dichalcogenides for sensing and oncotherapy: status, challenges, and perspective, Adv. Funct. Mater., 2020, 2004408.

31. Wenhan Zhou, Shengli Zhang*, Shiying Guo, Hengze Qu, Bo Cai, Xiang Chen, and Haibo Zeng*, High-performance Monolayer Na₃SbShrinking Transistors: A DFTNEGF Study, Nanoscale, 2020, 12,18931-18937.

30. Jian Zhou, Lei Xie, Xiufeng Song*, Ziming Wang, Chengxue Huo, Yunhai Xiong, Zichao Cheng, Yue Wang, Shengli Zhang, Xiang Chen* and Haibo Zeng*, High-performance vertical field-effect transistors based on all-inorganic perovskite microplatelets, J.Mater. Chem. C, 2020, 8, 12632-12637.

29. Qin Fan, Lude Wang, Duo Xu, Yanhong Duo, Jie Gao, Lei Zhang, Xianbao Wang, Xiang Chen*, Jinhua Li* and Han Zhang*, Solution-gated transistors of two-dimensional materials for chemical and biological sensors: status and challenges, Nanoscale, 2020, 12, 11364-11394.

28. Lude Wang, Duo Xu, Jie Gao, XiangChen*, Yanhong Duo* and Han Zhang*, Semiconducting quantum dots: Modification and applications in biomedical science, SCI. CHINA Mater., 2020, 63, 1631-1650.

27. Xiang Chen* and Jong-Hyun Ahn*, Biodegradable and Bioabsorbable Sensors Based on Two-DimensionalMaterials, J. Mater. Chem. B, 2020, 8, 1082-1092.

26. Xiang Chen, Sachin M. Shinde, Krishna P. Dhakal, Suk Woo Lee, Zonghoon Lee, Hyunmin Kim and Jong-Hyun Ahn*, Degradation behaviors and mechanisms of MoS₂ crystals relevant to bioabsorbable electronics, NPG Asia Mater., 2018, 10,810.

25. Xiang Chen, Yong JuPark, Minpyo Kang, Seung-Kyun Kang, Jahyun Koo, Sachin M. Shinde, Jiho Shin, Seunghyun Jeon, Gayoung Park, Ying Yan, Matthew R. MacEwan, Wilson Z. Ray, Kyung-Mi Lee*, John A Rogers* and Jong-Hyun Ahn*, CVD-grown monolayer MoS₂ in bioabsorbable electronics and biosensors, Nat. Commun., 2018, 9, 1690.

24. Houk Jang, Krishna P.Dhakal, Kyung-Il Joo, Won Seok Yun, Sachin M. Shinde, Xiang Chen, SoonMoon Jeong, Suk Woo Lee, Zonghoon Lee, JaeDong Lee, Jong-Hyun Ahn*, HyunminKim*, Transient SHG Imaging on Ultrafast Carrier Dynamics of MoS₂ Nanosheets, Adv. Mater., 2018, 30, 1705190.

23. Sachin M. Shinde, TanmoyDas, Anh Tuan Hoang, Bhupendra K. Sharma, Xiang Chen and Jong-HyunAhn*, Surface-functionalization-mediated Direct Transfer of MolybdenumDisulfide for Large-area Flexible Devices, Adv. Funct. Mater.,2018, 28, 1706231.

22. Sachin M. Shinde, Krishna P. Dhakal, Xiang Chen, Won Seok Yun, Jae Dong Lee, Hyunmin Kim and Jeong-Hyun Ahn*, Stacking-controllable interlayer coupling and symmetric configuration of multilayered MoS₂, NPG Asia Mater., 2018,10, e468.

21. Anh Tuan Hoang, Sachin M. Shinde, Ajit K Katiyar, Krishna P Dhakal, Xiang Chen, Hyunmin Kim, Suk WooLee, Zonghoon Lee, Jong-Hyun Ahn*, Orientation-dependent optical characterization of atomically thin transition metal ditellurides, Nanoscale, 2018, 10, 21978.

20. Krishna P Dhakal, Shrawan Roy, Houk Jang, Xiang Chen, Won Seok Yun, Hyunmin Kim, Jae DongLee, Jeongyong Kim and Jong-Hyun Ahn*, Local Strain Induced Bandgap Modulationand Photoluminescence Enhancement of Multilayer Transition MetalDichalcogenides, Chem. Mater., 2017, 29, 5124.

19. Tanmoy Das, Xiang Chen, Houk Jang, Il-Kwon Oh, Hyungjun Kim and Jong-Hyun Ahn*, Highly FlexibleHybrid CMOS Inverter Based on Si Nanomembrane and Molybdenum Disulfide, Small 2016,12, 5720.

18. Houk Jang, Yong JuPark, Xiang Chen, Tanmoy Das, Min-Seok Kim and Jong-Hyun Ahn*, Graphene-Based Flexible and Stretchable Electronics, Adv. Mater. 2016,28, 4184.

17. Minhoon Park, Yong JuPark, Xiang Chen, Yon-Kyu Park, Min-Seok Kim and Jong-Hyun Ahn*, MoS₂-BasedTactile Sensor for Electronic Skin Applications, Adv. Mater. 2016,28, 2556.

16. Xiang Chen, Yong Ju Park, TanmoyDas, Houk Jang, Jae-Bok Lee and Jong-Hyun Ahn*, Lithography-free plasma-induce patterned growth of MoS₂ and its heterojunction with graphene, Nanoscale, 2016, 8, 15181.

15. Yaping Hu, Xiaoqin Yan, Yousong Gu, Xiang Chen, Zhiming Bai, ZhuoKang, Fei Long and Yue Zhang*, Large-scale patterned ZnO nanorod arrays for efficient photoelectrochemical water splitting, Appl. Surf. Sci. 2015,339, 122.

14. Xiang Chen, Pei Lin, Xiaoqin Yan, Haoge Yuan, Zhiming Bai, YanweiShen, Yichong Liu, Zheng Zhang and Yue Zhang*, Three-dimensional ordered ZnO/Cu₂Onanoheterojunctions for efficient metal-oxide solar cells, ACS Appl.Mater. Interfaces, 2015, 7, 3216.

13. Yanwei Shen, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, Xin Zheng, Yihui Sun, YichongLiu, Pei Lin, Xiang Chen and Yue Zhang*, A self-powered ultraviolet photodetector based on solution-processed p-NiO/n-ZnO nanorod array heterojunction, RSC Advances, 2015, 5, 5976.

12. Fang Yi, Yunhua Huang, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, ZengzeWang, Xiang Chen, Qi Zhang and Yue Zhang*, Simple fabrication of a ZnO nanorod array UV detector with a high performance, Physica E, 2014, 61, 180.

11. Pei Lin, Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Haoge Yuan, Zheng Zhang, Yanguang Zhao and Yue Zhang*, Enhanced photoresponse of Cu₂O/ZnO heterojunction with piezo-modulated interface Engineering, Nano Research, 2014, 7, 860.

10. Yanwei Shen, Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Fang Yi, Zhiming Bai, XinZheng, Pei Lin and Yue Zhang*, Low-voltage blue light emission from n-ZnO/p-GaNheterojunction formed by RF magnetron sputtering method, Current Applied Physics, 2014, 14, 345.

9. Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Xiang Chen, Kun Zhao, Pei Lin and YueZhang*, High sensitivity, fast speed and self-powered ultraviolet photodetectors based on ZnO micro/nanowire networks, Progress in Natural Science Materials International, 2014, 24, 1.

8. Zhiming Bai, Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Xin Zheng, Pei Lin and YueZhang*, Self-powered ultraviolet photodetectors based on selectively grown ZnO nanowire arrays with thermal tuning performance, Physical Chemistry Chemical Physics, 2014, 16, 9525.

7. Xin Zheng, Xiaoqin Yan, Yihui Sun, Xiang Chen, Zhiming Bai, PeiLin, Yanwei Shen, Yanguang Zhao and Yue Zhang*, Tunable channel width of ZnO-based field-effect transistor under UV illumination, RSC Advances, 2014, 4, 18378.

6. Xiang Chen, Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Haoge Yuan, Guangjie Zhang, Pei Lin, Zheng Zhang, Yichong Liu and Yue Zhang*, Design of efficient dye-sensitized solar cells with patterned ZnO-ZnS core-shell nanowire array photoanodes, Nanoscale, 2014, 6, 4691.

5. Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, Yanwei Shen, Zengze Wang, Xianzi Dong, Xuanming Duan and Yue Zhang*, High-throughput fabrication of large-scale highly ordered ZnO nanorod arrays via three-beam interference lithography, CrystEngComm, 2013, 15, 8416.

4. Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Xiang Chen, Yan Cui, Pei Lin, YanweiShen and Yue Zhang*, Ultraviolet and visible photoresponse properties of a ZnO/Si heterojunction at zero bias, RSC Advances, 2013, 3,17682.

3. Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, Pei Lin, Yanwei Shen, XinZheng, Yaying Feng and Yue Zhang*, Facile fabrication of large-scale patterned ZnO nanorod arrays with tunable arrangement, period and morphology, CrystEngComm,2013, 15, 8022.

2. Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Xiang Chen, Hanshuo Liu, Yanwei Shen and Yue Zhang*, ZnO nanowire array ultraviolet photodetectors with self-powered properties, Current Applied Physics, 2013, 13, 165.

1. Shufeng Wang*, Huiqi Li, Xiang Chen, Jing Chi, Min Li, Lu Chai and Hui Xu, Improving microstructure and wear resistance of plasma clad Fe-based alloy coating by a mechanical vibration technique during cladding, Materials Science and Engineering A, 2010, 528, 397.

(† equal contribution, * corresponding author)

發明專利

1. 張躍, 陳翔,閆小琴,李欣,馮亞瀛,鄭鑫,申衍偉.一種光刻膠模板及圖案化ZnO納米棒陣列的製備方法, 2013-11-20, 中國, ZL201210252567.9.

2. 張躍, 陳翔,閆小琴,李欣,馮亞瀛,申衍偉,鄭鑫.一種製備圖案化ZnO納米棒陣列的方法, 2014-10-15, 中國, ZL201210452268.X.

3. 張躍, 陳翔,閆小琴,李欣,馮亞瀛,申衍偉,鄭鑫.一種製備圖案化ZnO納米棒陣列的方法, 2014-2-12, 中國, ZL201210300106.4.

4. 張躍, 李峻野, 陳翔,閆小琴,馮亞瀛,馮韻迪,孫國帥,徐佳亮,方思縈.一種Si納米井/ZnO納米棒陣列二級結構的製備方法, 2016-7-6, 中國, ZL201310172805.X.

5. Jong-Hyun Ahn,Tanmoy Das, Sachin Maruti Shinde, Bhupendra Kumar Sharma, Xiang Chen, Ahn Tuan Hoang. 二維過渡金屬化合物大面積轉移方法, 2019-9-17, 韓國, 10-2024463.

會議報告

1、Xiang Chen, 2D MoS₂-based Transient and Bioabsorbable Electronics, Asian Conference on Nanoscience & Nanotechnology (AsiaNANO 2018), Qingdao, P. R. China, 18-21 Oct. 2018

2、Xiang Chen, Patterned growth of MoS₂ and MoS₂/graphene heterojunctions, 4th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE 2016), Jeju, South Korea, 6-9 Nov. 2016

3、Xiang Chen, Lithography-free plasma-induced patterned growth of MoS₂ and its heterojunction with graphene, 8th International Conference on Recent Progress in Graphene/2D Research (RPGR 2016), Seoul, South Korea, 25-29 Sep. 2016

4、Xiang Chen, Patterned synthesis of 2D MoS₂ and MoS₂/Graphene for transistor application. International Conference on the Science and Technology of Synthetic Metals 2016 (ICSM2016), Guangzhou, P. R. China, 24-30 Apr. 2016

5、Xiang Chen, Large-scale fabrication of highly-ordered ZnO nanorod arrays via laser interference lithography and hydrothermal synthesis, 6th National ZnO Academic Conference, Xiamen, P. R. China, 5-7 Dec. 2013

導師周明東、王守海教授，主要研究方向為厚膜積體電路封裝工藝的最佳化。

主持、參與課題

主持項目：

1、國家自然科學基金委員會，重大研究計畫-培育項目（92064007），79 萬元，2021.01-2023.12；

2、山東省發展和改革委員會，山東省重點扶持區域引進急需緊缺人才項目，200 萬元，2020.03-2021.10；

3、江蘇省科學技術廳，基礎研究計畫-青年基金項目（BK20190476），20 萬元，2019.07-2022.06；

4、南京理工大學，自主科研專項計畫項目-自由探索專項（30919011296），10 萬元，2019.09-2021.08；

5、南京理工大學，中央高校基本科研業務費（AE8991121），20 萬元，2018.09-2020.08。

參與項目：

1、國家自然科學基金委員會，重大研究計畫-培育項目（91964103），80 萬元，2020.01-2022.12；

2、韓國國家研究基金會，領導者研究員支持項目（NRF-2015R1A3A2066337），1346 萬元，2015-2018；

3、韓國先進軟電子中心，全球前沿項目（2014M3A6A5060933、2015R1A3A2066337），96 萬元，2015-2016；

4、中國科技部，國家重大科學研究計畫（2013CB932600），2900 萬元，2013-2017；

5、國家自然科學基金委員會，重點項目（51232001），300 萬元，2013-2017；

6、中國科技部，國家國際科技合作專項項目（2012DFA50990），300 萬元，2012-2015。

實驗技能

• CET-6，擅長英語專業寫作及日常科研交流；
• 熟練運用Origin、FDTD solutions、Rhinoceros、Microsoft Office等軟體；
• 熟悉材料的多種分析表征手段(OM、SEM、AFM、TEM、Raman、PL、XRD、XPS等)；
• 專業技能：設計並搭建基於雙光束和三光束雷射干涉的曝光系統，以製作超精細光刻膠結構；精通高度有序、周期性排列的Si納米井和ZnO納米棒陣列的製備及光電器件套用；設計並搭建CVD和MOCVD系統，合成晶圓級Graphene、MoS₂等超薄二維材料；精通基於超薄二維材料的電晶體、CMOS、感測器及可降解電子學器件的構築和測試。

研究興趣

1. 新型二維電子材料的理論設計與可控制備；

2. 晶圓級二維半導體材料的氣相、液相合成；

3. 低功耗、高性能的集成電子器件；

4. 可穿戴、超輕薄的柔性電子器件；

5. 可植入、可降解的生物電子器件。

學術成果

現階段，傳統半導體和尖端材料行業基本被國際巨頭所壟斷，相關智慧財產權也被歐美已開發國家牢牢把控。我國在高端技術產業的發展處處受限，高端晶片及其生產技術幾乎全部依賴進口，國家耗費了大量的資金和資源。對於新型半導體材料的探索，低維納米材料的出現有著舉足輕重的意義。尤其，以石墨烯、過渡金屬硫化物（TMDCs）為代表的二維納米材料，擁有帶隙可調、機械性能高和生物安全性良好等優點，且載流子遷移和熱量擴散都被限制在二維平面內，使得相關器件具有高遷移率、開關比及超低功耗，將可能成為未來5 nm以下積體電路的材料基礎，在微電子學、光電子學、柔性電子學、生物晶片、軍事信息等領域有廣闊的套用前景。

近年來，在博士生導師北京科技大學張躍院士、博士後導師韓國延世大學Jong-Hyun Ahn教授及合作導師美國西北大學John A. Rogers院士指導下，聚焦低維材料可控合成與器件套用，取得了一系列成果，授權中韓國家發明專利5項，發表SCI論文30餘篇，包括Nat. Commun.1篇、Adv. Mater.3篇、Adv. Funct. Mater.2篇、Small2篇、Chem. Mater.1篇、NPG Asia Mater.2篇，封面亮點論文4篇，總引用1700餘次，H因子21。具體研究成果分述如下：

1、晶圓級、高質量低維納米材料的原子製造：針對低維材料在合成、轉移和加工過程中存在污損、可控性差等問題，提出了多種調控低維材料潔淨程度、周期分布和晶粒尺寸的新策略。

（1）提出了“表面能輔助水基濕法轉移”新策略，實現了晶圓級高質量二維TMDCs無損轉移；發展了二維TMDCs堆疊方式的調控方法，實現了人工合成TMDCs堆疊方式的無損表征和鑑定。

為解決二維TMDCs在轉移過程中因使用HF刻蝕液導致材料損傷和SiO₂晶圓不可回收等問題，開發了表面能輔助水基濕法轉移技術，用去離子水即可直接轉移4英寸單層MoS₂薄膜，SiO₂晶圓也因沒有被刻蝕破壞而能夠回收再利用（Adv. Funct. Mater., 2018, 28, 1706231）。瑞士洛桑聯邦理工學院Radenovic教授評價為“適用於二維材料大規模轉移的新方法”（Nat. Rev. Mater. 2019, 4, 588）。此外，控制TMDCs合成時的堆疊方向是一個重大挑戰，展示了不同形狀和堆疊方向的MoS₂晶體及其生長動力學，揭示了MoS₂堆疊方向誘導的層間分離以及自旋軌道耦合和對稱性變化，強調了SHG無損表征在快速分辨晶體對稱性和多疇晶相方面的優勢（NPG Asia Mater. 2018, 10, e468）。

（2）提出了“免光刻圖案化合成”新思路，實現了圖案化TMDCs及其范德華異質結電晶體的原位合成；開發了“三光束雷射干涉+水熱法”合成大面積圖案化ZnO納米棒陣列的新方法。

由於二維材料在微加工過程中易受到光刻膠污染，提出“金屬掩膜版+氧電漿刻蝕”處理SiO₂晶圓以誘導生長圖案化MoS₂並原位合成MoS₂/Graphene超薄異質結電晶體的思路（Nanoscale, 2016, 8, 15181，封面文章）。美國麻省理工學院Jing Kong教授評價為“一種更為簡單製作圖案化TMDCs的方案”（PNAS 2019, 116, 3437）。針對一維ZnO納米棒陣列生長無序、可控性差等問題，以三光束雷射干涉法製作超精細PR孔洞模板，完成了陣列限域圖案化生長，促進了相關染料敏化、異質結太陽能電池光電轉換效率的大幅提升（Nanoscale 2014，Nano Res. 2014，ACS Appl. Mater. Interfaces 2015），成果收錄進張躍院士編著的《ZnO Nanostructures》和《半導體納米線功能器件》兩本書中，圖案化ZnO納米棒陣列作為代表性工作被選為兩書的書籍封面。

2、柔性可穿戴、生物可降解人體晶片的設計開發：針對以往可穿戴設備體積龐大、舒適性差和植入式人體晶片無法降解、需二次手術取出等問題，以二維TMDCs薄膜為基礎，設計構建了超薄透明的柔性可穿戴電子皮膚和體內植入式、生物可降解的多功能感測器，實現了體表和體內關鍵生理信號的實時監測，為人體晶片的輕量化設計和性能最佳化提供了新思路。

（1）構建了柔性MoS₂/Si雜化CMOS晶片，展示了二維材料在柔性集成電子學中的巨大潛力；構建了超薄透明的MoS₂/Graphene觸覺感測器陣列，促進了二維材料在電子皮膚領域的套用和發展。

為解決p-MoS₂欠缺使CMOS晶片難以製作的問題，提出了MoS₂為nMOS溝道、Si為pMOS溝道組成雜化CMOS的方案，獲得了高性能電壓傳輸特性（最大電壓增益16，亞納瓦級功耗）（Small 2016, 12, 5720，封面文章）。比利時IMEC的Kris Myny教授評價為“為下一代柔性IC技術提供了新的備選方案”（Nature Electronics 2018, 1, 30）。此外，構建了以MoS₂為半導體激活層、Graphene為導電電極的觸覺感測器，相比傳統應變計，該感測器同時具有光學透明度、機械靈敏度和應變因子高等優點，器件總厚度僅75 nm，可完全貼合在人體皮膚上，且具備串擾低和開關速度高的特點（Adv. Mater. 2016, 28, 2556，封面文章，他引98次）。韓國延世大學Taeyoon Lee教授評價為“該電子皮膚可廣泛套用於智慧型假肢、互動式可穿戴設備、人工機器人手臂、健康監測系統等領域”（Adv. Electron. Mater. 2016, 2, 1600356）。本人及合作者還應邀撰寫了該領域的綜述文章（Adv. Mater. 2016, 28, 4184，他引159次），總結了二維材料在柔性可拉伸電子學中的研究現狀和發展趨勢。

（2）考察了二維TMDCs的生物安全性和可降解性，揭示了本徵缺陷誘發材料降解的規律；構建了可被人體完全吸收的植入式感測器，實現了顱內壓、顱內溫等重要生理信號的短期實時監測。

研究了單層MoS₂在磷酸緩衝鹽溶液中的降解行為，發現了該降解過程是由化學反應活性較高的內部缺陷觸發的（如晶界和空位），缺陷密度越高，降解速度越快，否定了二維TMDCs穩定性高的論斷，驗證了以控制缺陷類型和密度來調控二維TMDCs在體內服役壽命的可行性（NPG Asia Mater., 2018, 10, 810，封面文章）。另外，為解決傳統Si薄膜在構建植入式人體晶片時存在降解速度較快（大於2 nm/day）和承受應變偏低（小於1%）等缺點，研究了單層MoS₂的體外細胞毒性和體內組織免疫性，發現單層MoS₂是一種生物安全且可降解的半導體材料，首次利用單層MoS₂構建了生物可降解植入式感測器，實現了SD大鼠顱內壓力、溫度、應力和加速度的短期探測，推動了二維TMDCs在創傷性腦損傷恢復過程中關鍵生理參數實時監測方面的套用（Nat. Commun., 2018, 9, 1690）。上述成果獲得ChemistryViews和Madriod等網站的亮點報導，被評價為“生物電子醫學的先驅例子”。美國麻省理工學院Ellen T. Roche教授評價為“該可降解植入式感測器可以在不影響人體器官功能的前提下監測器官的變化”（Nature 2019, 565, 298）。美國普渡大學Chi Hwan Lee教授評價為“該感測器具有成本效益和大批量生產的優勢，可為農村偏遠地區的人提供健康監測服務”（Adv. Mater. 2019, 1902051）。本人及合作者應Mater. Horiz.和J. Mater. Chem.編輯Jane Chan的邀請，正在撰寫該領域綜述文章，總結並展望二維材料在生物可降解電子學領域的研究現狀和套用前景。

發表論文

35. Lude Wang, Chendong Dai, Lianfu Jiang, Gangling Tong*, Yunhai Xiong, Karim Khan, ZhongminTang, Xiang Chen* and Haibo Zeng*, Advanced Devices for Tumor Diagnosis and therapy, Small, 2021, 2100003.

34. Anh Tuan Hoang, KairuiQu, Xiang Chen* and Jong-Hyun Ahn*, Large-area synthesis of transition metal dichalcogenides via CVD and solution-based approaches and their device applications, Nanoscale, 2021, 13, 615–633.

33. Ziwei Lin, Ruijuan Guo, Hengze Qu, YaxinHuang, Lili Xu, Xiang Chen*, Xiaoqin Shi, Shengli Zhang*, DFT coupled with EGF study of structural, electronic and transport properties of two-dimensional InOBr, Vacuum, 2020, 182, 109745.

32. Lude Wang, Duo Xu, Lianfu Jiang, Jie Gao, Zhongmin Tang, Xiang Chen* and Han Zhang*, Transition metal dichalcogenides for sensing and oncotherapy: status, challenges, and perspective, Adv. Funct. Mater., 2020, 2004408.

31. Wenhan Zhou, Shengli Zhang*, Shiying Guo, Hengze Qu, Bo Cai, Xiang Chen, and Haibo Zeng*, High-performance Monolayer Na₃SbShrinking Transistors: A DFTNEGF Study, Nanoscale, 2020, 12,18931-18937.

30. Jian Zhou, Lei Xie, Xiufeng Song*, Ziming Wang, Chengxue Huo, Yunhai Xiong, Zichao Cheng, Yue Wang, Shengli Zhang, Xiang Chen* and Haibo Zeng*, High-performance vertical field-effect transistors based on all-inorganic perovskite microplatelets, J.Mater. Chem. C, 2020, 8, 12632-12637.

29. Qin Fan, Lude Wang, Duo Xu, Yanhong Duo, Jie Gao, Lei Zhang, Xianbao Wang, Xiang Chen*, Jinhua Li* and Han Zhang*, Solution-gated transistors of two-dimensional materials for chemical and biological sensors: status and challenges, Nanoscale, 2020, 12, 11364-11394.

28. Lude Wang, Duo Xu, Jie Gao, XiangChen*, Yanhong Duo* and Han Zhang*, Semiconducting quantum dots: Modification and applications in biomedical science, SCI. CHINA Mater., 2020, 63, 1631-1650.

27. Xiang Chen* and Jong-Hyun Ahn*, Biodegradable and Bioabsorbable Sensors Based on Two-DimensionalMaterials, J. Mater. Chem. B, 2020, 8, 1082-1092.

26. Xiang Chen, Sachin M. Shinde, Krishna P. Dhakal, Suk Woo Lee, Zonghoon Lee, Hyunmin Kim and Jong-Hyun Ahn*, Degradation behaviors and mechanisms of MoS₂ crystals relevant to bioabsorbable electronics, NPG Asia Mater., 2018, 10,810.

25. Xiang Chen, Yong JuPark, Minpyo Kang, Seung-Kyun Kang, Jahyun Koo, Sachin M. Shinde, Jiho Shin, Seunghyun Jeon, Gayoung Park, Ying Yan, Matthew R. MacEwan, Wilson Z. Ray, Kyung-Mi Lee*, John A Rogers* and Jong-Hyun Ahn*, CVD-grown monolayer MoS₂ in bioabsorbable electronics and biosensors, Nat. Commun., 2018, 9, 1690.

24. Houk Jang, Krishna P.Dhakal, Kyung-Il Joo, Won Seok Yun, Sachin M. Shinde, Xiang Chen, SoonMoon Jeong, Suk Woo Lee, Zonghoon Lee, JaeDong Lee, Jong-Hyun Ahn*, HyunminKim*, Transient SHG Imaging on Ultrafast Carrier Dynamics of MoS₂ Nanosheets, Adv. Mater., 2018, 30, 1705190.

23. Sachin M. Shinde, TanmoyDas, Anh Tuan Hoang, Bhupendra K. Sharma, Xiang Chen and Jong-HyunAhn*, Surface-functionalization-mediated Direct Transfer of MolybdenumDisulfide for Large-area Flexible Devices, Adv. Funct. Mater.,2018, 28, 1706231.

22. Sachin M. Shinde, Krishna P. Dhakal, Xiang Chen, Won Seok Yun, Jae Dong Lee, Hyunmin Kim and Jeong-Hyun Ahn*, Stacking-controllable interlayer coupling and symmetric configuration of multilayered MoS₂, NPG Asia Mater., 2018,10, e468.

21. Anh Tuan Hoang, Sachin M. Shinde, Ajit K Katiyar, Krishna P Dhakal, Xiang Chen, Hyunmin Kim, Suk WooLee, Zonghoon Lee, Jong-Hyun Ahn*, Orientation-dependent optical characterization of atomically thin transition metal ditellurides, Nanoscale, 2018, 10, 21978.

20. Krishna P Dhakal, Shrawan Roy, Houk Jang, Xiang Chen, Won Seok Yun, Hyunmin Kim, Jae DongLee, Jeongyong Kim and Jong-Hyun Ahn*, Local Strain Induced Bandgap Modulationand Photoluminescence Enhancement of Multilayer Transition MetalDichalcogenides, Chem. Mater., 2017, 29, 5124.

19. Tanmoy Das, Xiang Chen, Houk Jang, Il-Kwon Oh, Hyungjun Kim and Jong-Hyun Ahn*, Highly FlexibleHybrid CMOS Inverter Based on Si Nanomembrane and Molybdenum Disulfide, Small 2016,12, 5720.

18. Houk Jang, Yong JuPark, Xiang Chen, Tanmoy Das, Min-Seok Kim and Jong-Hyun Ahn*, Graphene-Based Flexible and Stretchable Electronics, Adv. Mater. 2016,28, 4184.

17. Minhoon Park, Yong JuPark, Xiang Chen, Yon-Kyu Park, Min-Seok Kim and Jong-Hyun Ahn*, MoS₂-BasedTactile Sensor for Electronic Skin Applications, Adv. Mater. 2016,28, 2556.

16. Xiang Chen, Yong Ju Park, TanmoyDas, Houk Jang, Jae-Bok Lee and Jong-Hyun Ahn*, Lithography-free plasma-induce patterned growth of MoS₂ and its heterojunction with graphene, Nanoscale, 2016, 8, 15181.

15. Yaping Hu, Xiaoqin Yan, Yousong Gu, Xiang Chen, Zhiming Bai, ZhuoKang, Fei Long and Yue Zhang*, Large-scale patterned ZnO nanorod arrays for efficient photoelectrochemical water splitting, Appl. Surf. Sci. 2015,339, 122.

14. Xiang Chen, Pei Lin, Xiaoqin Yan, Haoge Yuan, Zhiming Bai, YanweiShen, Yichong Liu, Zheng Zhang and Yue Zhang*, Three-dimensional ordered ZnO/Cu₂Onanoheterojunctions for efficient metal-oxide solar cells, ACS Appl.Mater. Interfaces, 2015, 7, 3216.

13. Yanwei Shen, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, Xin Zheng, Yihui Sun, YichongLiu, Pei Lin, Xiang Chen and Yue Zhang*, A self-powered ultraviolet photodetector based on solution-processed p-NiO/n-ZnO nanorod array heterojunction, RSC Advances, 2015, 5, 5976.

12. Fang Yi, Yunhua Huang, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, ZengzeWang, Xiang Chen, Qi Zhang and Yue Zhang*, Simple fabrication of a ZnO nanorod array UV detector with a high performance, Physica E, 2014, 61, 180.

11. Pei Lin, Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Haoge Yuan, Zheng Zhang, Yanguang Zhao and Yue Zhang*, Enhanced photoresponse of Cu₂O/ZnO heterojunction with piezo-modulated interface Engineering, Nano Research, 2014, 7, 860.

10. Yanwei Shen, Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Fang Yi, Zhiming Bai, XinZheng, Pei Lin and Yue Zhang*, Low-voltage blue light emission from n-ZnO/p-GaNheterojunction formed by RF magnetron sputtering method, Current Applied Physics, 2014, 14, 345.

9. Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Xiang Chen, Kun Zhao, Pei Lin and YueZhang*, High sensitivity, fast speed and self-powered ultraviolet photodetectors based on ZnO micro/nanowire networks, Progress in Natural Science Materials International, 2014, 24, 1.

8. Zhiming Bai, Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Xin Zheng, Pei Lin and YueZhang*, Self-powered ultraviolet photodetectors based on selectively grown ZnO nanowire arrays with thermal tuning performance, Physical Chemistry Chemical Physics, 2014, 16, 9525.

7. Xin Zheng, Xiaoqin Yan, Yihui Sun, Xiang Chen, Zhiming Bai, PeiLin, Yanwei Shen, Yanguang Zhao and Yue Zhang*, Tunable channel width of ZnO-based field-effect transistor under UV illumination, RSC Advances, 2014, 4, 18378.

6. Xiang Chen, Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Haoge Yuan, Guangjie Zhang, Pei Lin, Zheng Zhang, Yichong Liu and Yue Zhang*, Design of efficient dye-sensitized solar cells with patterned ZnO-ZnS core-shell nanowire array photoanodes, Nanoscale, 2014, 6, 4691.

5. Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, Yanwei Shen, Zengze Wang, Xianzi Dong, Xuanming Duan and Yue Zhang*, High-throughput fabrication of large-scale highly ordered ZnO nanorod arrays via three-beam interference lithography, CrystEngComm, 2013, 15, 8416.

4. Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Xiang Chen, Yan Cui, Pei Lin, YanweiShen and Yue Zhang*, Ultraviolet and visible photoresponse properties of a ZnO/Si heterojunction at zero bias, RSC Advances, 2013, 3,17682.

3. Xiang Chen, Xiaoqin Yan, Zhiming Bai, Pei Lin, Yanwei Shen, XinZheng, Yaying Feng and Yue Zhang*, Facile fabrication of large-scale patterned ZnO nanorod arrays with tunable arrangement, period and morphology, CrystEngComm,2013, 15, 8022.

2. Zhiming Bai, Xiaoqin Yan, Xiang Chen, Hanshuo Liu, Yanwei Shen and Yue Zhang*, ZnO nanowire array ultraviolet photodetectors with self-powered properties, Current Applied Physics, 2013, 13, 165.

1. Shufeng Wang*, Huiqi Li, Xiang Chen, Jing Chi, Min Li, Lu Chai and Hui Xu, Improving microstructure and wear resistance of plasma clad Fe-based alloy coating by a mechanical vibration technique during cladding, Materials Science and Engineering A, 2010, 528, 397.

(† equal contribution, * corresponding author)

發明專利

1. 張躍, 陳翔,閆小琴,李欣,馮亞瀛,鄭鑫,申衍偉.一種光刻膠模板及圖案化ZnO納米棒陣列的製備方法, 2013-11-20, 中國, ZL201210252567.9.

2. 張躍, 陳翔,閆小琴,李欣,馮亞瀛,申衍偉,鄭鑫.一種製備圖案化ZnO納米棒陣列的方法, 2014-10-15, 中國, ZL201210452268.X.

3. 張躍, 陳翔,閆小琴,李欣,馮亞瀛,申衍偉,鄭鑫.一種製備圖案化ZnO納米棒陣列的方法, 2014-2-12, 中國, ZL201210300106.4.

4. 張躍, 李峻野, 陳翔,閆小琴,馮亞瀛,馮韻迪,孫國帥,徐佳亮,方思縈.一種Si納米井/ZnO納米棒陣列二級結構的製備方法, 2016-7-6, 中國, ZL201310172805.X.

5. Jong-Hyun Ahn,Tanmoy Das, Sachin Maruti Shinde, Bhupendra Kumar Sharma, Xiang Chen, Ahn Tuan Hoang. 二維過渡金屬化合物大面積轉移方法, 2019-9-17, 韓國, 10-2024463.

會議報告

1、Xiang Chen, 2D MoS₂-based Transient and Bioabsorbable Electronics, Asian Conference on Nanoscience & Nanotechnology (AsiaNANO 2018), Qingdao, P. R. China, 18-21 Oct. 2018

2、Xiang Chen, Patterned growth of MoS₂ and MoS₂/graphene heterojunctions, 4th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE 2016), Jeju, South Korea, 6-9 Nov. 2016

3、Xiang Chen, Lithography-free plasma-induced patterned growth of MoS₂ and its heterojunction with graphene, 8th International Conference on Recent Progress in Graphene/2D Research (RPGR 2016), Seoul, South Korea, 25-29 Sep. 2016

4、Xiang Chen, Patterned synthesis of 2D MoS₂ and MoS₂/Graphene for transistor application. International Conference on the Science and Technology of Synthetic Metals 2016 (ICSM2016), Guangzhou, P. R. China, 24-30 Apr. 2016

5、Xiang Chen, Large-scale fabrication of highly-ordered ZnO nanorod arrays via laser interference lithography and hydrothermal synthesis, 6th National ZnO Academic Conference, Xiamen, P. R. China, 5-7 Dec. 2013