《降低碳化矽(SiC)器件封裝寄生參數關鍵技術研究》是依託華中科技大學，由陳材擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：降低碳化矽(SiC)器件封裝寄生參數關鍵技術研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：陳材
- 依託單位：華中科技大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
為充分發揮寬禁帶碳化矽(SiC)器件的高頻特性，解決目前商用碳化矽功率器件封裝寄生參數過大的問題，本課題擬基於封裝寄生參數與碳化矽晶片的理論模型，研究新型混合封裝的最佳化設計及集成方法。針對現有混合封裝集成技術的不足，提出了降低封裝寄生電容的方法，並將EMI濾波元件集成於新型混合封裝結構中，以有效抑制高頻EMI干擾；另外，利用直接敷銅陶瓷板(DBC)的高導熱性和柔性PCB技術的可彎曲性，創新性的提出了DBC+DBC和DBC+柔性PCB的新型3D混合封裝結構，以期進一步降低封裝的寄生參數，提高散熱封裝的性能，提高碳化矽器件的功率密度。基於上述新型混合封裝的最佳化設計及集成方法，利用現有的封裝設備、材料及加工工藝製作低寄生參數的1200V/100A碳化矽器件樣品，並通過電參數、熱阻及雙脈衝測試對多種混合封裝結構最佳化設計理論進行實驗驗證。通過對本課題的研究，為碳化矽器件的高頻化套用奠定基礎。
結題摘要
本項目以降低碳化矽器件封裝寄生參數為目標，研究了多種新型混合封裝降低寄生電感的設計方法，基於這些混合封裝結構設計並加工了1200V/120A碳化矽半橋功率模組，通過各種測試對多種混合封裝結構的設計理論進行實驗驗證。形成了系統的低寄生參數碳化矽器件的封裝方法，對碳化矽器件的封裝套用具有指導意義。
