| 中文名稱 | 間接躍遷型半導體材料 |
| 英文名稱 | indirect transition semiconductor materials |
| 定 義 | 導帶極小值和價帶極大值不在k空間同一點，電子在價帶和導帶間的躍遷需要聲子參與的半導體。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 間接躍遷型半導體材料 |
| 英文名稱 | indirect transition semiconductor materials |
| 定 義 | 導帶極小值和價帶極大值不在k空間同一點，電子在價帶和導帶間的躍遷需要聲子參與的半導體。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
中文名稱 間接躍遷型半導體材料 英文名稱 indirect transition semiconductor materials 定義 導帶極小值和價帶極大值不在k空間同一點,電子在價帶和導帶間的躍遷...
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3 3 3p型摻雜與電學性質71 3 4GaN半導體材料72 3 4 1GaN的晶格結構和能帶...4 4半導體的光吸收99 4 4 1本徵吸收99 4 4 2直接躍遷和間接躍遷100 4 4...
2.3 半導體帶間直接躍遷光吸收過程2.4 間接躍遷的量子力學處理2.5 半導體帶間...5.7 發光光譜在半導體電子能態研究和材料檢測中的套用參考答獻第六章 半導體的...
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