基本介紹
- 中文名:鐵磁層
- 外文名:Ferromagnetic layers
- 一級學科:工程技術
- 二級學科:自旋電子學
- 定義:層狀薄膜中具有鐵磁性的層
- 特點:電子自旋呈相同方向
鐵磁層是指層狀薄膜中具有鐵磁性的層,在鐵磁性物質內部,如順磁性物質,有很多未配對電子。由於交換作用,這些電子的自旋趨於與相鄰未配對電子的自旋呈相同方向。...
一種含有合成反鐵磁結構的雙磁性隧道結,其特徵在於:由底電極層、反鐵磁層、鈷鐵合金、絕緣層、金屬釕層、頂電極層11層金屬膜組成...
如將 DMS材料用作磁性金屬與半導體的界面層,實現自旋極化的載流子向非磁性半導體中的注入,可用於自旋 極化發光二極體的製造。而對於某些鐵磁層/無磁 層的多層異質...
當鐵磁層非常薄的時候,原子中的軌道各向異性得體現,就有可能使得界面各向異性超過形狀各向異性,從而實現了垂直磁各向異性。可以利用該性質套用於垂直磁各向異性磁性...
巨磁阻效應是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由...
巨磁阻又稱特大磁電阻,即GMR(Giant Magneto Resistance),比AMR技術磁頭靈敏度高2倍以上,GMR磁頭是由4層導電材料和磁性材料薄膜構成的:一個感測層、一個非導電...
STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵...
磁隧道結的核心部分是由兩個鐵磁金屬層夾著一個隧穿勢壘層而形成的三明治結構, 其中一個鐵磁層被稱為參考層(Reference Layer)或固定層(Pinned Layer), 它的...
磁化翻轉又稱電流感應的磁化翻轉,是指在不需要外加磁場的情況下,通過注入自旋極化電流,就可以使鐵磁層的磁化方向改變,甚至發生翻轉,從而改變鐵磁層的磁阻...
自旋閥是1991年IBM公司Dieny等提出一個簡化的四層結構,即磁性層1/非磁性中間層/磁性層2/反鐵磁性層。它具有磁電阻率可對外磁場的回響呈線性關係,頻率特性好等多...
隧穿磁阻率表示隧道磁電阻效應的電阻大小。鐵磁薄片的磁化方向可以在外磁場的控制下被獨立的切換。如果極化方向平行,那么電子隧穿過絕緣層的可能性會更大,其巨觀...
均勻磁化軸是一種能夠減小在電流驅動的磁性反向中的反向電流的磁性器件和使用它的磁性存儲器。該磁性器件包括第一鐵磁層、第二鐵磁層、第三鐵磁層、第一中間層...
在這種結構中如果兩鐵磁層的磁化方向平行,一個鐵磁層中多數自旋子帶的電子將進入另一個電極中的多數自旋子帶的空態,同時少數自旋子帶的電子也從一電極進入另一...
磁隧道結的核心部分是由兩個鐵磁金屬層夾著一個隧穿勢壘層而形成的三明治結構,其中一個鐵磁層被稱為參考層(Reference Layer)或固定層(Pinned Layer),它的磁化...
閥多層膜結構原理上可以分為四層:反鐵磁釘扎層,鐵磁被釘扎層,非磁性分隔層和鐵磁自由層。其中,自由層和被釘扎層採用軟鐵磁材料(也可採取自由層為軟鐵磁...
在研究GMR效應的基礎上,早在1991年,B.Dieny根據反鐵磁層之間的交換耦合現象提出自旋閥結構模型。自旋閥基本結構為:鐵性磁體/非鐵性磁體/鐵性磁體/反鐵性磁體,...
Alvarado等人利用有磁性針尖的掃描隧道顯微鏡(STM)時,發現真空的隧道結能夠有效地把自旋注入到半導體中。高阻抗的鐵磁/ 絕緣層/ 鐵磁結構也已經證實了隧穿過程中...
交換偏置場是一種界面效應,其大小強烈依賴於界面自旋構型、各向異性、反鐵磁自旋取向以及冷卻場、界面粗糙度等因素都會對交換偏置場產生影響。...
利用自旋軌道矩(SpinOrbitTorque,SOT)實現快速而可靠的磁化翻轉,有望突破傳統自旋轉移矩的性能瓶頸。這種寫入技術要求在磁隧道結的自由層下方增加一條重金屬薄膜(鉑...
確定性磁化翻轉這一概念主要用於自旋軌道矩的研究當中,磁化翻轉是指在不需要外加磁場的情況下,通過注入自旋極化電流,就可以使鐵磁層的磁化方向改變,甚至發生翻轉,...
確定性電流感應磁化翻轉這一概念主要用於自旋軌道矩的研究當中,磁化翻轉是指在不需要外加磁場的情況下,通過注入自旋極化電流,就可以使鐵磁層的磁化方向改變,甚至...
巨磁阻是一種量子力學效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的...