《鎢酸鉛閃爍晶體》是2011年3月1日實施的一項行業標準。
基本介紹
- 中文名:鎢酸鉛閃爍晶體
- 實施日期:2011-03-01
- 發布日期:2010-11-10
- 標準號:JC/T 2023-2010
- 制修訂:制定
- 中國標準分類號:Q65
- 國際標準分類號:27.120.01
- 技術歸口:全國工業陶瓷標準化技術委員會
- 批准發布部門:工業和信息化部
《鎢酸鉛閃爍晶體》是2011年3月1日實施的一項行業標準。
《新型閃爍晶體鎢酸鉛的研製及其閃爍的性能研究》是依託哈爾濱工業大學,由徐玉恆擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用提拉法生長PbWO4晶體的尺寸為Φ25mm長為100mm,採用坩堝下降法生長PbWO4晶體的尺寸為20mm×20×mm×230mm。在晶體...
鎢酸鉛閃爍晶體 《鎢酸鉛閃爍晶體》是2011年3月1日實施的一項行業標準。起草人 袁曄、熊巍等。起草單位 中國科學院上海矽酸鹽研究所。
包括閃爍晶體鍺酸鉍、矽酸鉍及其混晶,四硼酸鋰壓電晶體生長與套用,鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能,鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學工程中的套用,弛豫鐵電單晶生長於表征進展,鎢酸鎘閃爍晶體的坩堝下降法生長研究,中紅外非線性光學晶體...
閃爍體材料是受到射線照射時能夠發光的物質,分為無機閃爍體和有機閃爍體,並可以固體、液體和氣體狀態存在。①無機閃爍體是指摻入少量激活劑的無機晶體。常用的有硫化鋅、碘化鈉、碘化銫、鍺酸鉍、氟化鈣和鎢酸鉛等。銀或鉈等分別作為...
晶體缺陷(crystal defects)是指晶體內部結構完整性受到破壞的所在位置。按其延展程度可分成點缺陷、線缺陷和面缺陷。在理想完整的晶體中,原子按一定的次序嚴格地處在空間有規則的、周期性的格點上。但在實際的晶體中,由於晶體形成條件、...
水平[晶體]生長法 水平[晶體]生長法是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 沿著水平方向生長單晶的一種方法。既可進行物料提純,又可進行生長單晶。出處 《材料科學技術名詞》。
大尺寸摻雜鎢酸鉛閃爍晶體及其製備技術 《大尺寸摻雜鎢酸鉛閃爍晶體及其製備技術》,是由嚴東生等人完成的科研項目。參與人員 主要完成人:嚴東生,殷之文,廖晶瑩,沈炳孚,袁 暉,邵培發 獲獎記錄 2007年度國家技術發明獎二等獎。
(2006.01 — 2007.06,進行中)。4. 參加浙江省科技廳重點項目[2005C11043]“水性染料及墨水的研究”(2005.01 — 2006.05,結題)5. 參加溫州市合作項目“高性能鎢酸鉛閃爍晶體的生長研究”(2006.10—2008.10進行中)
在人工晶體研究方面,他先後領導並部署了大尺寸鍺酸鉍、碘化銫、鎢酸鉛等新型無機閃爍晶體材料的研製,使中國成為國際無機閃爍晶體材料的研發中心。90年代,他敏銳覺察納米材料研究趨勢,促成了國家對納米材料領域研究的關注與投入,使“納米...
80年代以來,從事閃爍晶體的生長與表征研究,在國內外期刊和學術會議發表論文40餘篇。先後兩次赴瑞士日內瓦歐洲核子研究中心參加丁肇中教授領導的大型正負電子對撞機實驗組及大型強子對撞機實驗組工作,進行對撞機用鍺酸鉍和鎢酸鉛閃爍晶體的...