坩堝下降法晶體生長

《坩堝下降法晶體生長》是2015年化學工業出版社出版的圖書，作者是徐家躍。

基本介紹

• 中文名：坩堝下降法晶體生長
• 作者：徐家躍
• 出版社：化學工業出版社
• 出版時間：2015年3月
• 頁數：210 頁
• 開本：16K　787×1092　1/16
• 裝幀：平裝
• ISBN：978-7-122-21864-3

內容簡介

本書對坩堝下降法的歷史進行總結回顧，並分章節重點介紹幾種功能晶體的生長和套用，包括閃爍晶體鍺酸鉍、矽酸鉍及其混晶，四硼酸鋰壓電晶體生長與套用，鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能，鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學工程中的套用，弛豫鐵電單晶生長於表征進展，鎢酸鎘閃爍晶體的坩堝下降法生長研究，中紅外非線性光學晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長與表征等。此外，依據研究對象和目的的不同，本書還對坩堝下降法的一些技術創新工作進行了介紹。

本書適合於高等院校材料專業師生，研究機構科研人員及半導體、太陽能、光電子等材料生產企業技術人員等學習使用。

目錄

第1章歷史回顧1

1.1早期工作1

1.2下降法生長鹵化物單晶2

1.3下降法生長半導體單晶3

1.4下降法生長氧化物晶體5

參考文獻9

第2章閃爍晶體鍺酸鉍、矽酸鉍及其混晶11

2.1概述11

2.2鍺酸鉍晶體12

2.2.1晶體生長12

2.2.2晶體缺陷14

2.2.3晶體性能15

2.2.4套用舉例20

2.3矽酸鉍晶體21

2.3.1Bi2O3SiO2贗二元系相圖21

2.3.2原料合成22

2.3.3晶體生長23

2.3.4生長缺陷24

2.3.5閃爍性能及摻雜改性26

2.3.6其他物理性能28

2.3.7BSO晶體套用29

2.4矽鍺酸鉍混晶31

2.4.1固溶特性31

2.4.2晶體生長32

2.4.3閃爍性能33

參考文獻34

第3章四硼酸鋰壓電晶體生長與套用39

3.1概述39

3.1.1壓電晶體39

3.1.2四硼酸鋰晶體39

3.1.3四硼酸鋰晶體生長40

3.2坩堝下降法生長43

3.2.1原料合成43

3.2.2下降法生長44

3.2.3工業化生長46

3.3晶體缺陷48

3.3.1氣泡和包裹物48

3.3.2串芯與雲層48

3.3.3開裂49

3.3.4孿晶49

3.3.5位錯及其他缺陷50

3.4物理性能51

3.4.1基本性能51

3.4.2壓電性能51

3.4.3光學性能53

3.4.4其他物理性能54

3.5SAW性能及套用55

3.5.1SAW性能55

3.5.2晶片加工57

3.5.3SAW器件57

3.6總結與展望58

參考文獻59

第4章鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能62

4.1概述62

4.2NaI：Tl晶體63

4.2.1晶體生長63

4.2.2NaI:Tl晶體的閃爍性能64

4.3碘化銫64

4.3.1晶體生長64

4.3.2碘化銫晶體的閃爍性能66

4.4BaF2晶體67

4.4.1晶體生長67

4.4.2晶體性能67

4.5PbF2晶體68

4.6SrI2:Eu晶體69

4.6.1晶體生長69

4.6.2晶體性能70

4.7稀土鹵化物閃爍晶體——LaCl3:Ce和LaBr3:Ce71

4.7.1晶體生長71

4.7.2晶體性能72

4.8展望73

參考文獻74

第5章鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學工程中的套用76

5.1概述76

5.2PWO晶體的結構特性與缺陷77

5.2.1PWO晶體的結構77

5.2.2PWO晶體的缺陷79

5.3PWO晶體生長81

5.3.1PWO晶體的提拉法生長82

5.3.2PWO晶體的坩堝下降法生長83

5.3.3PWO晶體的坩堝下降法生長設備83

5.3.4PWO晶體的坩堝下降法生長工藝及最佳化84

5.3.5PWO晶體定向與加工87

5.3.6PWO晶體生長工藝參數總結89

5.4PWO晶體閃爍性能89

5.4.1PWO晶體的發光和光輸出89

5.4.2PWO晶體的發光衰減91

5.4.3PWO晶體的輻照硬度92

5.5PWO晶體的摻雜效應94

5.5.1一價、二價陽離子摻雜94

5.5.2三價陽離子摻雜95

5.5.3高價（五、六價陽離子）摻雜96

5.5.4一價陰離子摻雜96

5.6高光輸出PWO晶體研究96

5.7PWO晶體的套用與展望98

5.7.1高能物理98

5.7.2醫用閃爍體99

5.7.3Cherenkov輻射體99

5.7.4光電子套用99

5.7.5快離子導體材料99

參考文獻100

第6章弛豫鐵電單晶生長與表征的進展103

6.1概述103

6.2弛豫鐵電單晶的生長104

6.2.1PZNPT和PMNPT104

6.2.2高居里溫度的弛豫鐵電PT二元系晶體107

6.2.3高居里溫度的弛豫鐵電三元系晶體109

6.3弛豫鐵電晶體的表征110

6.3.1晶體取向對性能的影響110

6.3.2電場引發的相變113

6.3.3外部直流偏壓下的介電性能115

6.4商業套用和未來展望116

6.4.1單晶壓電驅動器116

6.4.2醫學超聲成像換能器116

6.4.3聲吶換能器116

參考文獻116

第7章閃爍晶體鎢酸鎘坩堝下降法生長研究120

7.1閃爍晶體鎢酸鎘的研究進展120

7.1.1概述120

7.1.2晶體結構121

7.1.3基本性能121

7.1.4晶體生長方法122

7.2閃爍晶體鎢酸鎘的坩堝下降法生長124

7.2.1多晶料製備124

7.2.2晶體生長125

7.2.3若干生長技術問題126

7.2.4晶體缺陷127

7.2.5性能表征131

7.2.6摻雜晶體的研究135

7.3總結135

參考文獻136

第8章中紅外非線性光學晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長與表征138

8.1概述138

8.2ZnGeP2晶體139

8.2.1ZnGeP2晶體的結構140

8.2.2ZnGeP2晶體的生長140

8.2.3ZnGeP2晶體的缺陷143

8.2.4ZnGeP2晶體性能與套用148

8.3CdGeAs2晶體152

8.3.1CdGeAs2晶體的結構152

8.3.2CdGeAs2晶體的生長153

8.3.3CdGeAs2晶體的缺陷156

8.3.4CdGeAs2晶體的套用160

參考文獻161

第9章日本氧化物晶體坩堝下降法生長研究164

9.1概述164

9.2磁性套用MnZn鐵氧體單晶164

9.2.1概述164

9.2.2傳統坩堝下降法生長MnZn鐵氧體單晶165

9.2.3坩堝下降法連續進料晶體生長166

9.2.4小結168

9.3閃爍探測器用鎢酸鉛PbWO4(PWO)單晶168

9.3.1概述168

9.3.2晶體生長168

9.3.3生長方向和坩堝厚度169

9.3.4熔體成分效應170

9.3.5X射線衍射分析171

9.3.6小結171

9.4Bi4Si3O12(BSO)單晶生長172

9.4.1概述172

9.4.2小尺寸BSO晶體生長172

9.4.3大尺寸BSO晶體進展175

9.4.4Ce摻雜提高BSO晶體輻照硬度177

9.4.5小結179

9.5Nd摻雜BSO——一種新型的雷射晶體179

9.5.1概述179

9.5.2Nd摻雜BSO晶體生長179

9.5.3光學性能和壽命測試180

9.5.4小結181

9.6聲波器件套用大尺寸Li2B4O7(LBO)晶體生長181

9.6.1概述181

9.6.2LBO主要性能181

9.6.3下降法晶體生長182

9.6.4小結185

9.7總結186

參考文獻186

第10章坩堝下降法技術創新189

10.1概述189

10.2改進型坩堝下降法189

10.3助熔劑坩堝下降法191

10.3.1通氣誘導成核191

10.3.2ZnO晶體生長192

10.3.3PZNT晶體生長194

10.4底部籽晶法生長技術197

10.4.1底部籽晶法197

10.4.2PZNT晶體生長197

10.4.3SLN晶體生長198

10.5高溫坩堝下降法生長藍寶石199

10.6定向凝固生長大尺寸矽單晶201

10.7冷坩堝法生長釔穩定氧化鋯203

10.8多坩堝下降法生長GaAs單晶205

參考文獻207