[晶體生長]坩堝下降法是2016年全國科學技術A名詞審定委員會公布的化學名詞。
基本介紹
- 中文名:[晶體生長]坩堝下降法
- 外文名: BridgmanStockbarger method
- 所屬學科:化學
- 公布時間:2016年
[晶體生長]坩堝下降法是2016年全國科學技術A名詞審定委員會公布的化學名詞。
[晶體生長]坩堝下降法是2016年全國科學技術A名詞審定委員會公布的化學名詞。定義 常用的晶體生長方法之一。將原料置於圓柱型的坩堝中,緩慢下降通過1個具一定溫度梯度的加熱爐,爐溫控制在略高於材料的熔點附近。在通過加熱區域時,坩堝中...
《坩堝下降法晶體生長》是2015年化學工業出版社出版的圖書,作者是徐家躍。內容簡介 本書對坩堝下降法的歷史進行總結回顧,並分章節重點介紹幾種功能晶體的生長和套用,包括閃爍晶體鍺酸鉍、矽酸鉍及其混晶,四硼酸鋰壓電晶體生長與套用,...
本項目採用助熔劑-坩堝下降法生長Ga ,In等摻雜的ZnO超快閃爍晶體,最佳化生長工藝,研究摻雜離子及摻雜量與閃爍性能之間的關係,探索摻雜ZnO單晶在α粒子探測器上的套用。結題摘要 ZnO晶體是超快閃爍材料,有望用於中子探測等領域。國際上...
φ9×8mm3的CLLC透明CLLC晶體在137Cs源的γ射線激發下的光輸出在28000ph/meV左右,能量解析度為7.1%。在252Cf中子源激發下的能量解析度為3.1%,具有很好的中子/伽馬射線波形甄別能力。同時還開展了坩堝下降法生長Ce:Cs2LiYCl6晶體的...
其特點是晶體生長不是在高熔點金屬材料的坩堝中進行的,而是直接用原料本身作坩堝,使其內部熔化,外部則裝有冷卻裝置,從而使表層未熔化,形成一層未熔殼,起到坩堝的作用。內部已熔化的晶體材料,依靠坩堝下降脫離加熱區,熔體溫度逐漸...
晶體生長下降爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年06月01日啟用。技術指標 可自動控制升降. 最小降速可達到0.1mm/h,最大降速可達到5.0mm/h. 能夠自動控制並顯示下降速度,能夠自動顯示下降距離. ...
四硼酸鋰晶體,化學式Li2B4O7。屬四方晶系。熔點917℃,密度2.45克/厘米3。壓電性能優異。是綜合性能優良的聲表面波基片材料。20世紀90年代中國科學家發明坩堝下降法生長技術,成功實現三英寸四硼酸鋰晶體產業化。可用於製作高頻、小型...
1.國家自然科學基金-新型超快雷射晶體Yb:Ba3Gd(BO3)3生長和性能研究(60508007) 2006.1-2008.12 2. 中國科學院上海矽酸鹽所知識創新工程領域前沿項目—坩堝下降法生長Ce:Li6Gd(BO3)3晶體的研究 2008.1-2010.12 3. 矽酸鹽所中...
生長方法 鎢酸鉛微晶生長方法包括提拉法和坩堝下降法,垂直梯度凝固法。合成方法 鎢酸鉛微晶合成方法包括沉澱法、水熱法、微乳液法、超聲輔助法和微波輔助法等。影響因素 鎢酸鉛微晶在300 ~400nm範圍內具有較寬的發射譜帶,由三組主要...
20世紀80年代初, 中科院上海矽酸鹽研究所採用坩堝下降法成功地生長了大尺寸鍺酸鉍(Bi4Ge3O12) 單晶。由於這種晶體阻擋高能射線能力強、解析度高, 因而特別適合於高能粒子和高能射線的探測, 在基本粒子、空間物理和高能物理等研究領域有...