錢芸生,男,1968年12月出生。南京理工大學電子工程與光電技術學院教授、博士碩士生導師。畢業於南京理工大學光學工程專業,獲得博士學位。
基本介紹
- 中文名:錢芸生
- 國籍:中國
- 民族:漢族
- 出生日期:1968年12月
- 畢業院校:南京理工大學光學工程專業
- 性別:男
人物經歷,社會職務,研究方向,主要貢獻,學術成就,項目與經費,
人物經歷
社會職務
1、中國光學學會會員。
2、國際光學工程學會(SPIE)會員。
研究方向
1、光電子物理與技術
主要研究內容有:微光與紅外成像器件與系統及相關測試技術,原位測試與分析,光電測試,圖像處理和仿真等。
2、物理電子技術與系統。
3、薄膜電子材料製備與測試分析。
4、專用積體電路設計。
光電發射材料、成像器件和系統及相關測試技術,SOPC技術等。
主要貢獻
學術成就
近年來,先後負責或參加了20多項國家、省部級或橫向開發科研項目,獲得國防科工委科技進步二等獎、教育部科技進步二等獎,中國人民解放軍科技進步二等獎,江蘇省科技進步三等獎、國防科工委科技進步三等獎和兵器工業科技進步二等獎等獎項共10項。在國內外期刊和會議發表論文40多篇,其中被SCI和EI收錄30多篇。
項目與經費
目前在研的有國防973子專題、國防預研基金、國家自然科學基金和橫向開發科研項目等科研項目,其中,國家級和省部級項目有:
×××關鍵技術研究,國防預研項目,60萬,項目負責人。
×××評測方法研究,國防973子專題,100萬,項目負責人。
高性能×××研究,國防重點預研項目,120萬,項目第二負責人。
×××理論研究,國防973子專題,140萬,主要參加者。
變摻雜GaAs光電陰極摻雜結構設計與量子效率理論研究,國家自然科學基金,28萬,主要參加者。
NEA GaN光電發射機理及其製備技術研究,國家自然科學基金,30萬,主要參加者。