鋁背場

鋁背場是指在p-n結製備完成後，往往在矽片的背面即背光面，沉積一層鋁膜，製備P+層。

基本介紹

• 中文名：鋁背場
• 定義：在p-n結製備完成後，往往在矽片的背面即背光面，沉積一層鋁膜，製備P+層

作用：減少少數載流子在背面複合的機率。也可以作為背面的金屬電極。

製備方法：最簡單的方法是利用濺射等技術在矽片背面沉積一層鋁膜，然後再800～1000℃熱處理，使鋁膜和矽合金化並內擴散，形成一層高鋁濃度摻雜的P+層，構成鋁背場。