金屬有機源分子束外延即MOMBE,英文全稱為metal organic molecular-beam epitaxy;亦稱作CEB(化學束外延),是在分子束外延(MBE)和金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)的...
其中之一是引入氣態的分子束源,構成所謂化學束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生長InGaAsP等四元材料,或將金屬有機化合物引入分子束源形成所謂金屬有機化合...
金屬有機化合物氣相外延(MOCVD)是一項非平衡生長技術,依賴於氣源傳輸和熱裂解反應而實現,合成與分解同時進行。當氫氣攜帶金屬有機化合物蒸氣和非金屬氫化物進入到反應...
分了束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜,要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展...
承擔並完成了國家重點科技攻關項目“金屬有機源分子束外延設備”和“非晶矽太陽能電池製備設備”的研製工作,為國內外科研單位、高等院校和工業企業提供了1500多台套...
金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用於製備量子阱及超晶格等微結構。非晶、...進水平的成果;又如多有源區帶間量子隧穿輸運和光耦合量子阱雷射器,它具有...
2.1.2外延生長的理論模型2.2外延生長技術2.2.1分子束外延(MBE)技術2.2.2金屬有機化合物化學氣相澱積技術(MOCVD)2.2.3氣體源分子束外延技術...
氣態源分子束外延磊晶生長(MBE)包括V族氫化物和III族有機金屬氣態源。氣體裂化器具備常見的單個燈絲蒸鍍瓶加熱器用於輻射加熱鉭或PBN裂化管。使用擋板可增強裂化...
稀磁半導體是一部分金屬離子被磁性離子 (過渡元素及稀土元素離子)取代的化合物...分子束外延(MBE)技術由於其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度...