男，1962年11月生，1984年畢業於中國科學技術大學，獲理學學士學位。1987年在該校獲理學碩士學位。1994年在英國劍橋大學獲博士學位。先後在中國科學院物理研究所、英國劍橋大學、DURHAM大學從事超導研究和教學。
基本介紹
- 中文名：鄭東寧
- 國籍：中國
- 出生日期：1962年11月
- 畢業院校：中國科學技術大學
簡歷,主要側重以下幾個方面,重要研究工作,目前的研究課題及展望,
簡歷
男，1962年11月生，1984年畢業於中國科學技術大學，獲理學學士學位。1987年在該校獲理學碩士學位。1994年在英國劍橋大學獲博士學位。先後在中國科學院物理研究所、英國劍橋大學、DURHAM大學從事超導研究和教學。現在中科院物理所研究員、博士生導師、超導國家重點實驗室副主任。
主要研究方向：高溫超導及其它氧化物功能薄膜的製備，生長機理，物理性質和器件方面的研究。
主要側重以下幾個方面
（1）氧化物薄膜生長的原位觀測和生長機理及其物理性質研究
（2）超導/鐵電異質薄膜的研究
（3）超導薄膜的場效應研究
（4）高溫超導量子干涉器件（SQUID）的研究
（5）基於超導Josepshon結和SQUID的量子比特研究
過去的主要工作及獲得的成果：主要從事超導方面的實驗研究。
重要研究工作
高溫超導體的各向異性電阻和比熱研究；影響高溫超導體的不可逆線和臨界電流的因素以及低溫合金超導體中不可逆線的確定；Chevrel相超導體的臨界電流和磁通釘扎；MgB2超導體中Al摻雜導致的結構調製及對超導電性的影響。
近期主要從事高溫超導和其它氧化物功能材料薄膜和器件的研究。所領導的研究小組研製了國內首台高氣壓RHEED－PLD系統，為氧化物薄膜的生長和研究提供了原位監測的有力工具，利用該設備進行了大量薄膜生長機理和一些對基礎和套用研究有重要意義的薄膜（如Si基襯底上的超導和其它氧化物薄膜、亞穩相超導薄膜、超導/鐵電異質薄膜）的研究。進行了超導/鐵電一直薄膜的研究，研製了具有高調製性能和較低損耗的鐵電薄膜，並套用於可調微波器件的製備。製備了適合超導微波器件製備的性能優良的大面積雙面YBCO和TlBaCaCuO超導薄膜。在高溫超導量子干涉器件的研究和套用方面，與同事一起研製的DC-SQUID器件的磁場解析度最好達到100fT/Hz1/2，居當時國內領先水平，並在國內首先開展SQUID無損探傷的研究。
發表學術論文70餘篇。主要論文被SCI論文引用逾400次。
目前的研究課題及展望
近幾年來，承擔和參加多項國家科技部“973”、“863”、基金委和科學院項目。“十五”期間是“973”項目《超導科學技術》的首席科學家助理，《高溫超導薄膜的材料科學研究》課題負責人。國家“863計畫”《大面積超導薄膜》和《高溫超導量子干涉器件》課題主要參加人。
