選擇性加熱

選擇性加熱(select thermalization)是指加熱元素損失在腔壁上，因此到達晶片上就減少了。

基本介紹

• 中文名：選擇性加熱
• 外文名：select thermalization

為得到高的濺射澱積速率，大多數鋁在平面直流磁控系統中澱積。由於所有的膜都是合金，薄膜的化學配比是首要關心的問題。澱積膜的成分通常接近於靶體的組成。在適當的襯底溫度下，已澱積材料的再蒸發可以忽略不計，膜的精確成分由工藝要素中的傳輸性能決定。例如，在低腔體壓力下，一個AlCu靶的濺射將得到比靶材料高一些濃度。高的銅組分與氬氣使較輕的鋁原子變熱的能力有關，但氬與重得多的銅原子的碰撞則幾乎沒有什麼影響。更多的加熱元素損失在腔壁上，因此到達晶圓上的就減少了，這個結果稱為選擇性加熱，在濺射如AlCu或者TiW這樣的材料時最明顯，因為材料中一種材料比另一種材料有大得多的原子質量。