《透明氧化物半導體》是2014年科學出版社出版的圖書,作者是馬洪磊、馬瑾。
基本介紹
- 中文名:透明氧化物半導體
- 作者:馬洪磊,馬瑾
- ISBN:9787030416643
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:2014-09
《透明氧化物半導體》是2014年科學出版社出版的圖書,作者是馬洪磊、馬瑾。
《透明氧化物半導體》是2014年科學出版社出版的圖書,作者是馬洪磊、馬瑾。內容簡介 本書論述了透明氧化物半導體薄膜的製備技術、理論基礎,分別闡述已經得到廣泛套用或具有重要套用前景的八種典型氧化物半導體薄膜的晶體結構、形貌、缺陷、電子...
《透明氧化物半導體異質結特性的研究》是依託上海師範大學,由韓奇峰擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 透明氧化物半導體(TCO)PN結被認為是製作透明電子器件的重要發展方向。對同一TCO材料分別實現高效的n型和p型摻雜目前還沒有一...
《新型透明氧化物半導體溝道層薄膜的研究》是依託復旦大學,由張群擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 開展具有原創性的新型透明氧化物半導體溝道層薄膜的研究,旨在從電子結構和晶格結構出發,理論探討IMeO(Me = W, Mo,Ti及其組合)氧化...
《新型氧化銅基p型氧化物半導體薄膜的研究》是依託復旦大學,由張群擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 P型透明氧化物半導體薄膜是透明電子學發展的瓶頸材料之一。本項目提出了基於我們近期在p型透明氧化物半導體靶材方面的探索,利用原理上...
氧化物半導體是通常容易成為絕緣體的氧化物,但卻具有半導體的性質。在眾多物質當中,最受關注的是“透明非晶氧化物半導體(TAOS:Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)”。非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)就是一個代表性例子。除了三星和LG...
《全透明氧化物薄膜電晶體的工藝技術及物理機理研究》是依託北京大學,由韓德棟擔任負責人的面上項目。項目摘要 近幾年來,有關透明電子學的研究逐漸成為電子技術領域的熱門話題。透明電子學主要是關於透明氧化物半導體材料、器件以及電路的...
氧化物半導體材料是由金屬與氧形成的化合物半導體材料。信息介紹 氧化物半導體材料(oxide semiconductor)是由金屬與氧形成的化合物半導體材料。它與元素半導體材料相比,結構上多為離子晶體,禁頻寬度一般都較大,遷移率較小,化學性質也比較...
透明導電氧化物半導體ITO是當下有機光電子器件中極為重要的電極材料,但為了使器件效率最大化,常常需要對ITO電極表面進行修飾以提高其功函式。我們通過密度泛函理論計算運用直觀的物理模型解釋了氯原子或者氟原子吸附能夠使透明導電氧化物ITO...
全透明非揮發存儲器是實現透明電路不可缺少的元器件。本項目在前期矽基金屬量子點浮柵型非揮發存儲器研究基礎上,提出了基於氧化物半導體透明薄膜電晶體的金屬量子點浮柵型全透明非揮發性存儲器,以存儲器柵疊層的能帶設計為指導,金屬量子...
《氧化物半導體納米線雙電層靜電調控及其器件套用》是依託南京大學,由萬青擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在氧化物半導體納米線和雙電層薄膜電晶體良好研究基礎上,本項目擬開展有關無機介質顆粒膜雙電層電容對SnO2、ITO等氧化物...
《氧化物半導體薄膜電晶體的模型及參數提取方法研究》是依託華南理工大學,由姚若河擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 隨著氧化物半導體薄膜電晶體研究的深入和製備工藝的成熟,氧化物半導體薄膜電晶體器件逐漸推向套用。研究建立氧化物半導體...
傳統的非晶矽薄膜電晶體和有機薄膜電晶體已經很難滿足要求,以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的透明非晶氧化物半導體(TAOS)具有遷移率高、均一性好、透明等優點,將有望成為下一代顯示技術中薄膜電晶體的有源層材料。核心性能 作為TFT的核心...
另一方面,氧化物TFT以其遷移率較高(幾~幾十cm²/Vs)、大面積均勻性較好、製備工藝溫度較低等諸多優勢被認為最有可能套用於下一代平板顯示中。高遷移率氧化物半導體材料的開發 近年來,在消費者更好的觀看體驗要求的驅動下,對...
《氧化鋅透明導電薄膜及其套用》可供從事無機非金屬材料、透明導電氧化物(或透明氧化物半導體)、薄膜太陽能電池、新能源材料與器件等領域的科研人員和技術人員參考,也可供高等學校相關專業的師生參閱。目錄 第1章透明導電氧化物薄膜概述1...
《多元透明導電氧化物的能帶調控與電子輸運特性研究》是依託山東大學,由呂英波擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 透明導電氧化物(TCOs)因晶格結構和組分元素變化多樣而呈豐富的電磁特性,但價格低廉的n型和導電率高的p型TCOs...
《氧化物半導體氣敏材料製備與性能》是2018年3月化學工業出版社出版的圖書,作者是孫廣。內容簡介 感測器在降低環境風險、保障人身及財產安全等方面發揮了重要作用。採用氧化物半導體氣敏材料製作的感測器以其成本低、耗能少、製作和使用方便...
《氧化物半導體多層薄膜氣敏材料和感測器研究》是依託中國科學技術大學,由沈瑜生擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本項目通過多個新的含氟砌塊的製得,成功地找到了合成各種三氟甲基取代化合物和含氟取代的碳環和雜環化合物的新方法。...
《TiO2-Nb2O5複合氧化物半導體氧敏材料的研究》是依託西安電子科技大學,由彭軍擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 用陶瓷燒結法製備複合材料;用自行研製的自動動態測試系統分析材料的氧分壓特性、空燃比特性及回響特性;用XPS、X-ray...
關於透明導電材料的研究進入一個新的時期還是應該在第二次世界大戰期間,主要套用于飛機的除冰窗戶玻璃。在1950年,第二種透明半導體氧化物In2O3首次被製成,特別是在In2O3里摻入錫以後,使這種材料在透明導電薄膜方面得到了普遍的套用...
通過本項目的研究有望深入對摻雜ZnO納米晶的可控合成機理的認識,推動摻雜ZnO納米晶在溶液工藝的半導體器件中的套用,為調控納米晶材料的光電性能提供新思路。結題摘要 ZnO 是本徵n 型的透明氧化物半導體。ZnO基納米晶薄膜有潛力套用於很多...
ITO 是通過真空磁控濺射鍍膜工藝生產的一種材料,屬於導電膜禁止玻璃的導電膜層材料。ITO Glass 透明導電膜禁止玻璃的導電膜層材料主要為ITO(銦錫氧化物半導體)膜、金屬鍍膜等,其特點是在150KHz~1GHz範圍內有適宜的禁止效能,透光性較...
新型透明導電氧化物薄膜,透明氧化物半導體薄膜和透明電子器件的研究。自旋極化的產生、注入、輸運和檢測的研究。超高密度電存儲薄膜的製備與性能表征。主講課程 納米結構的檢測與表征。薄膜技術。電子物理專業實驗。納米科學與技術。物理電子學...
(7) 一種製備P型摻鈷氧化鋅薄膜的方法,發明專利,200910236797.4,審理中,第一完成人;(8)一種透明氧化物半導體InGaZnO薄膜的製備方法,發明專利,200910241599.7,審查中,第二完成人。獲獎記錄 (1)王麗,陶世荃,郝偉,祝孝正...
ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩個性能指標:電阻率和透光率。特性是當厚度降到1800個埃(埃=10-10米)以下時會突然變得透明,透光率為80%,再薄下去透光率反而下降,到300埃厚度...
《氧化鋅基透明氧化物半導體MOCVD外延生長機制研究》,廣東省自然科學基金-重點基金,2015-2017,主持。《半導體照明系統可靠性強化機理與試驗方法設計》,國家自然科學基金-NSFC-廣東聯合基金,2013-2016,主持。《150Lm/W的GaN基LED量子...
基於新型柔性透明氧化物半導體材料,團隊2015年在柔性透明塑膠襯底上實現了當前世界上速度最快的6.3 GHz柔性二極體,超過了手機通訊、藍牙、WiFi等的2.45GHz的基頻,並至今仍保持著世界上速度最快的柔性二極體的最高紀錄 (Nature ...