費米能級不隨摻雜等而發生位置變化的效應,稱為費米能級的釘扎效應(Pinning effect)。
基本介紹
- 中文名:費米釘扎
- 外文名:Fermi level pinning
費米能級不隨摻雜等而發生位置變化的效應,稱為費米能級的釘扎效應(Pinning effect)。
費米能級不隨摻雜等而發生位置變化的效應,稱為費米能級的釘扎效應(Pinning effect)。定義費米能級釘扎效應是半導體物理學中的一個重要概念。本來半導體中的Fermi能量是一個容易發生變化的參量(與溫度和摻雜等都有...
釘扎理論又稱釘扎效應,是指費米能級不隨摻雜等而發生位置變化的效應,費米能級釘扎效應是半導體物理中的一個重要概念。反磁化核在外磁場作用下長大成為反磁化疇,然後通過疇壁位移實現反磁化。產生反磁化核的地方一般是晶體缺陷、摻雜物等,缺陷數目、摻雜物等越多,反磁化核越容易形成,矯頑力也就越低。但從...
同時Bardeen提出了費米能級釘扎的概念。認為在半導體表面存在一些能級處理禁帶中的本徵表面態。它是半導體的費米能級在表面處釘扎在這些能級位置上,因而勢壘在與金屬接觸前已經形成。不同功函式的金屬與半導體接觸不會明顯改變勢壘高度,這就是Bardeen模型。1948年肖克萊和皮爾松(Pearson)為驗證巴丁的假說設計了世界上...
通過研究III-V族半導體表面氧化過程,深入理解費米能級釘扎機制,探索表面鈍化去除釘扎的方案。在此基礎上,進一步探索界面穩定性能、界面能帶台階、電子態與界面成鍵的關係等,從理論上調節界面成鍵,以最佳化界面性能。本項目的研究為實現III-V族半導體材料在高速電子器件中的實際套用奠定理論基礎。結題摘要 III-V族...
通過金屬/金屬氮化物雙金屬柵極,利用遠程氧吸除技術控制Hf基介質/SiO2氧空位,抑制界面產物縮小等氧化層厚度(EOT),改善費米能級釘扎效應;利用Al離子注入技術結合後退火工藝,探討在Hf基介質/SiO2界面直接誘導偶極子提升有效功函式的作用機理,以及通過反向偶極子抑制超薄EOT條件下平帶電壓顯著回落效應,控制界面產物提升...
器件表面高達10cm的摻雜濃度的另一個好處是使得 由於表面費米能級釘扎 ( fermi level pinning )而 造成的方 向帶彎減小到5 nm以下 (通常這個帶彎為10-100 nm, 稱為 “ 死層 ”,dead laver),從而使得器件的短波長 (藍 一紫外 )光回響得到改善 。 由於InP等許多材料對短波長光子的吸收係數通常都高於10...
(2)晶態半導體中的費米能級通常是隨溫度變化而變化,而非晶態半導體中的費米能級是釘扎在禁帶之中,基本上不隨溫度變化而變化。非晶半導體的特點 同晶體材料相比較,非晶半導體材料具有以下突出的特點:1.在結構上,非晶態半導體的組成原子沒有長程有序性,但由於原子之間的鍵合力十分類似於晶體,因此,儘管不存在...
本課題主要研究了鹼金屬在III-V族半導體表面的吸附及界面反應,重點是:界面能帶彎曲及費米能級的釘扎;界面處元素芯能級的化學位移及原子鍵合狀態;以及鹼金屬對半導體氧化反應和氮化反應的催化作用。實驗結果表明;在氧化過程中,鹼金屬一直維繫於表面,而氧則滲入鹼金屬半導體界面,打斷了原有的鹼金屬與襯底的弱鍵合...
由於HfO2高的k值,可設計較大物理厚度獲得小的隧穿層等效氧化物厚度,使工作速度提高的同時,獲得好的保持力;通過澱積TaON鈍化層改善界面特性,消除費米能級釘扎。將研究MOCVD製備量子點和柵介質的最佳工藝和條件, 研製出相應的GaAs量子點存儲器原型樣品。由於量子點與高k介質的有效結合,有望使器件工藝...
同時相關的器件研究表明,鋁基超超薄膜體系的澱積,有效避免了III-V器件中普遍存在的費米釘扎行為,該研究為構築新型納米MOS器件奠定了實驗基礎,為鋁基超薄膜在未來納米微電子器件中的套用做了相關的系統的鋪墊工作。(4) 在APL、JAP、Nanotech 、JMC等國際著名刊物上合作發表SCI 檢索論文近150 篇,其中第一作者及...
早期對這種材料的研究表明,由於費米能級釘扎效應和電晶體反型時伴隨EOT增厚而產生的多晶矽耗盡效應等方面的負面影響,多晶矽柵電極必須被金屬柵電極取代。1,2經過長時間的研究、最佳化和試生產測試,現在高k絕緣材料/金屬柵電極技術已經成功被用於量產中了,這無疑是具有劃時代意義的。相關詞條 ...
(2)表面態密度對於肖特基勢壘高度的影響,特別是在表面態密度大於時,會有費米能級的“釘扎”效應的存在;(3)界面處大約埃厚度中的電荷引起的勢全高度的變化;(4)鏡像力引起的勢壘高度的降低效應。隨著肖特基接觸基本理論逐步成熟,利用金屬半導體接觸形成的肖特基勢壘原理製作的肖特基勢壘二極體研究漸漸升溫。世紀...
其中,一邊的鐵磁層矯頑力大,磁矩固定不變,稱為被釘扎層;而另外一層鐵磁層的磁矩對小的外加磁場即可回響,為自由層。由於被釘扎層的磁矩與自由層的磁矩之間的夾角發生變化導致GMR的電阻值改變。如此,在較低的外磁場下相鄰鐵磁層磁矩能夠在平行與反平行排列之間變換,從而引起磁電阻的變化。自旋閥結構的出現...