當在半導體材料，例如矽中人為地摻入價電子數更少的雜質原子，例如硼，來取代晶格中矽原子的位置，雜質原子缺少電子與矽形成共價鍵，需要從別處的矽原子奪取一個價電子，形成空穴和負電中心，這種摻入的雜質元素稱為受主雜質。
基本介紹
- 中文名：受主雜質
- 外文名：Acceptor impurity
- 套用學科：半導體物理
- 別稱：p型雜質
- 作用：形成空穴
- 常見雜質：B、Al、Ga、In
摻雜原理,摻雜結果,
摻雜原理
以矽晶體中摻入硼為例來說明受主雜質的作用，一個硼原子占據了矽原子的位置，硼原子有三個價電子，當它和周圍的四個矽原子形成共價鍵時，還缺少一個電子，必須從別處的矽原子中奪取一個價電子，於是在矽晶體的共價鍵中產生了一個空穴。而硼原子接受一個電子後，成為帶負電的硼離子（B-），稱為負電中心。負電中心對空穴的束縛較小，只需要很少的能量空穴就可以掙脫束縛，稱為自由運動的導電空穴。因為雜質可以在矽、鍺中能夠接受電子產生導電空穴，並形成負電中心。所以稱它們為受主雜質或p型雜質。
摻雜結果
純淨的半導體中摻入受主雜質後，受主雜質電離，使價帶中的導電空穴增多，增強了半導體的導電能力，通常把主要依靠空穴導電的半導體稱為空穴型或p型半導體。
