變溫光譜電化學

變溫光譜電化學是一種使用溫度作為光譜電化學測試的技術，通過不同溫度下的測試表征材料的禁頻寬度等電子結構信息。

基本介紹

• 中文名：變溫光譜電化學
• 外文名：Variable temperature spectroelectrochemistry

1990年代，Fitzmaurice等人利用光譜電化學方法測量了納米半導體薄膜的平帶電位。為克服該種方法在解釋數據方面的困難，人們將溫度這一參數引入光譜電化學測量開發了變溫光譜電化學測試技術。

變溫光譜電化學測試技術在套用於半導體薄膜測量時基於下面兩點假設：在可見和近紫外光區（Vis/NIR）發生的光吸收主要由導帶電子造成；其次，溫度變化只對自由電子密度產生影響。

需要注意的是，這兩條假設有時候並不符合材料的實際情況。例如，材料的禁頻寬度、介電常數都與溫度相關，因而測量經常帶來誤差。