由表面勢壘和/或表面附近的缺陷產生的磁通釘扎。
基本介紹
- 中文名： 表面釘扎
- 所屬學科：電力系統
由表面勢壘和/或表面附近的缺陷產生的磁通釘扎。
由表面勢壘和/或表面附近的缺陷產生的磁通釘扎。1 ...
面缺陷模型是指在一個晶面兩側的原子受到破壞所形成的層錯、晶粒間界、兩相邊界、晶體表面等。面缺陷對疇壁的釘扎作用主要是通過它們磁性參數與基體之間的差異和變化實現的。釘扎點 釘扎點，是指位錯移動的障礙物自身的幾何尺度遠遠小於相鄰障礙物之間的距離，因此可以將障礙物視為釘扎點的情況。在金屬材料的強化...
裂紋釘扎 裂紋釘扎，彈性補強顆粒在裂紋擴展尖端通過釘扎作用來阻止裂紋進一步擴展的增韌機制。能同時有效吸收裂紋擴展能量。
但隨著塗層導體技術研究的不斷深入，緩衝層微觀結構(界面結構、表面形貌、晶粒信息、面內取向等)和人工釘扎中心的作用引起了廣泛關注。本項目擬以脈衝雷射外延(PLD)方法製備Co摻雜Ba-122超導薄膜並瞄準緩衝層微觀結構和人工釘扎中心兩個關鍵問題：重點研究緩衝層微觀結構與薄膜性能之間的關係；研究人工釘扎中心對薄膜...
《垂直磁化納米線中的疇壁釘扎與去釘扎動力學研究》是依託武漢大學，由熊銳擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 釘扎和去釘扎是磁納米線中疇壁運動重要的過程。垂直磁化納米線中的疇壁寬度小且結構穩定，對垂直磁化納米線中疇壁釘扎與去釘扎過程及相關動力學的研究一方面有助於掌握磁納米線疇壁運動的規律和操控...
疇壁釘扎 當疇壁受到材料中的點、線、面、體型缺陷的牽制時，這些缺陷就象釘子一樣把疇壁釘住，從而能夠提高材料矯頑力的現象。公布時間 1998年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
非晶態半導體中也往往存在費米能級釘扎效應。製作出的非晶態半導體多是高阻材料，Fermi能級不能因摻雜而移動，這也是由於其中有大量缺陷的關係。3.在其他異質結中，由於界面存在的大量缺陷，也往往會造成費米能級釘扎，特別是在極性較大的半導體異質結中。4.此外，半導體表面態密度較大時也往往造成費米能級釘扎效應...
認為在半導體表面存在一些能級處理禁帶中的本徵表面態。它是半導體的費米能級在表面處釘扎在這些能級位置上，因而勢壘在與金屬接觸前已經形成。不同功函式的金屬與半導體接觸不會明顯改變勢壘高度，這就是Bardeen模型。1948年肖克萊和皮爾松（Pearson）為驗證巴丁的假說設計了世界上最早的場效應實驗裝置。證明在表面電場的...
《超導體中渦旋的釘扎》是依託南京大學，由王智河擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 各向異性超導體中渦旋線受到一個尺寸在C軸方向有幾個CuO層間距的體釘扎中心作用時，釘扎主要發生在相重合的幾個CuO面上，還是象在普通各向異性低溫超導體中那樣，發生在渦哂攵ぴ行乃械鬧睪喜糠鄭墾芯扛呶魯繼逯形...
集體釘扎模型 集體釘扎模型（collective pinning model）是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
低損耗NiFe和Fe薄膜是基礎，磁性納米膜的表（界）面自旋釘扎是提高薄膜使用頻率的關鍵，多層膜結構是器件實現毫米波頻段套用的重要支撐。磁性薄膜可通過磁控濺射和電子束蒸發技術製備；表面釘扎可通過引入緩衝層、覆蓋層，適度表面氧化以及合理選擇基片種類來實現；而多層膜結構研究是十分重要的，因為，多層膜結構可以較好...
基於此方法，研究了蒸發過程中接觸線移動的分子機制，給出了蒸發過程中蒸發模式的轉變和接觸線發生釘扎及移動的判據。本項目研究了單個納米顆粒在接觸線附近的釘扎與去釘扎現象及其運動機制，討論了其中的表面力與分子間力的作用，並得到了納米顆粒不同的三種運動形態：(1)無遲滯滑動; (2)交替進行的釘扎-滑移模式...
本課題主要研究了鹼金屬在III-V族半導體表面的吸附及界面反應，重點是：界面能帶彎曲及費米能級的釘扎；界面處元素芯能級的化學位移及原子鍵合狀態；以及鹼金屬對半導體氧化反應和氮化反應的催化作用。實驗結果表明；在氧化過程中，鹼金屬一直維繫於表面，而氧則滲入鹼金屬半導體界面，打斷了原有的鹼金屬與襯底的弱鍵合...
釘扎(Pinning effect)晶界遷移的原理用圖1舉例說明,圖1中的黑點代表W釘扎結晶物,2代表合金溶液,3代表晶粒,箭頭表示晶粒生長方向,由圖1中所見,W釘扎結晶物在晶粒生長過程中,積聚在晶粒生長方向的表面上,隔斷了晶粒與外部的物質遷移過程,從而阻礙晶粒長大。