《表面化學分析深度剖析濺射深度測量》（標準號：GB/T 29557-2013）是2013年7月19日中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會發布的國家標準。
《表面化學分析深度剖析濺射深度測量》（標準號：GB/T 29557-2013）是2013年7月19日中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會發布的國家標準。編制進程2013年7月19日，《表面化學...
《表面化學分析》是一系列中國國家標準。全文 GB/T 19499-2004 表面化學分析 數據傳輸格式 GB/T 19502-2004 表面化學分析 輝光放電發射光譜方法通則 GB/T 20175-2006 表面化學分析 濺射深度剖析 用層狀膜係為參考物質的最佳化方法 GB/T 20176-2006 表面化學分析 二次離子質譜 用均勻摻雜物質測定矽中硼的原子...
GB/T 20175—2006 表面化學分析 濺射深度剖析 用層狀膜係為參考物質的最佳化方法 GB/T 20176—2006 表面化學分析 二次離子質譜 用均勻摻雜物質測定矽中硼的原子濃度 GB/T 20307—2006 納米級長度的掃描電鏡測量方法通則 GB/T 20724—2006 薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法 GB/T 20725—2006 波譜法定性點...
表面形貌分析、表面成分分析、 表面化學狀態分析、表面顏色、色差測試、表面相結構分析、表面應力分析、表面粗糙度測試、表面異物分析、表面失效分析、表面處理工藝判斷。膜層分析 膜層厚度分析、膜層成分分析、膜層化學狀態分析、膜層顏色、色差測試、膜層相結構分析、 膜層應力分析、膜層表面粗糙度測試、多層膜深度剖...
由此，印刷線路板表面污染物分析至關重要。俄歇電子能譜（AES）具有很高的表面靈敏度，其檢測深度約為3～10原子單層（0.4nm～5nm），檢測極限為10原子濃度，空間解析度可達到4nm，可用於分析除氫和氦以外（Li-U）元素的定性、定量分析，廣泛用於材料的表面化學分析。因此，制定了國家標準《印刷線路板表面污染物分析...
深度剖析是指交替式地對分析樣品表面濺射剝離和對濺射區域採集圖譜，從深度剖析結果中可以得到不同成分沿深度方向的分布，可以得到樣品深層或內部化學成分的三維圖像，可以進行對材料或者生物組織微區成分分析。特點 1.獲得樣品最表層1-3個原子信息深度信息；2.可以檢測同位素，用於同位素分析 ；3.達到ppm~ ppb級的探測...
X射線光電子能譜學（英文：X-ray photoelectron spectroscopy，簡稱XPS）XPS主要套用是測定電子的結合能來鑑定樣品表面的化學性質及組成的分析，其特點在光電子來自表面10nm以內，僅帶出表面的化學信息，具有分析區域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點，廣泛套用於金屬、無機材料、催化劑、聚合物、塗層材料礦石等各種材料...
2. 深度剖析具有良好的檢測限制和深度辨析率 3. 小面積分析（10 µm 或更大）4. 檢測包含H在內的元素及同位素 5. 優良的動態範圍（6 orders of magnitude）6. 在某些套用中可能用來做化學計量/組成成份 主要用途 1. 摻雜劑與雜質的深度剖析 2. 薄膜的成份及雜質測定 （金屬、電介質、鍺化矽 、III-V族...
一、金屬及半導體材料分析42 二、非導體材料分析47 三、深度分析49 參考文獻52 第三章二次離子質譜法54 第一節引言54 第二節一次離子束64 一、一次離子源64 二、一次離子束光路67 第三節入射離子與樣品的相互作用（二次離子發射機理）72 一、濺射產額72 二、二次離子產額80 第四節質譜儀與離子檢測系統84 一...
