基本介紹
- 中文名:蘭林鋒
- 國籍:中國
- 出生地:福建武平
- 畢業院校:華南理工大學
蘭林鋒,華南理工大學,研究員,博士生導師,國家優秀青年基金獲得者,廣東省傑出青年基金獲得者,珠江學者,國家重點研發項目評審專家。蘭林鋒,2010年獲得材料物理與化學專業博士學位1,現任職於華南理工大學發光材料與器件國家重...
《一種自對準底柵薄膜電晶體及其製備方法》是華南理工大學於2018年5月7日申請的專利,該專利公布號為CN108666223B,專利公布日為2021年6月15日,發明人是蘭林鋒、李育智、彭俊彪。 國際專利分類號 Int. Cl.H01L21/34(2006.01)I;...
《金屬氧化物薄膜電晶體穩定性機理的研究》是依託華南理工大學,由蘭林鋒擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 基於金屬氧化物(Metal-Oxide,簡稱MO,如ZnO、IGZO等)的薄膜電晶體(TFT)具有以其遷移率高、電學均勻性好、對可見...
22. 姚日暉,鄭澤科,曾勇,胡詩犇,劉賢哲,陶瑞強,陳建秋,蔡煒,寧洪龍,徐苗,王磊,蘭林鋒,彭俊彪,基於柔性顯示器件的氧化鋁介電層室溫製備[J].光學學報. 2017, 37(03): 374-379 23. Yong Zeng, Zhiqiang Fang, Honglong ...