① 外植體的滅菌處理:將羽葉薰衣草莖段切為2厘米左右的帶節小段,剪去葉片,用稀釋500倍的洗潔精清洗5分鐘,流水沖洗1小時,再用0.1%二氯化汞滅菌。滅菌時給予6-8分鐘的滅菌時間,無菌水洗滌4-5次後,在切口處切去部分與二氯化汞直接接觸的莖的少許,接種於含有0.5毫克/升6-BA和0.1毫克/升NAA的MS培養基上進行初代培養,每瓶接種1個外植體。菌後進行初代培養時,在基本培養基中附加0.5毫克/升的6-BA和0.1毫克/升的NAA,羽葉薰衣草外植體在該培養基中的培養效果良好。
② 增殖培養:以MS為基本培養基,設計分別含有0.4、0.8、1.2、1.6毫克/升6-BA以及0.05、0.1、0.15、0.2毫克/升NAA的16個組合培養基,將上述無菌初代培養物轉接到這16個培養基上,每瓶1枚,每處理18瓶。觀察叢生苗的誘導與生長情況,42天后統計培養結果。滅菌增殖培養時,在設計的16種不同激素配比的培養基上,獲得的增殖係數為7-19.2,考慮到試驗操作的便捷性以及叢生苗的茁壯性,認為在繼代增殖時,採用附加0.8毫克/升6-BA和0.10毫克/升NAA的MS培養基較為合適,此時增殖係數為11.3,而不是採用增殖係數很高的附加1.6毫克/升6-BA和0.05毫克/升NAA的MS培養基。試管苗的生根培養比較容易,在試管苗的生根培養基篩選中,認為附加0.2毫克/升NAA的1/2MS培養基較好。
③ 生根培養:待叢生芽長至約2厘米時,切成單株後轉到1/2MS(蔗糖也同時減半為15克/升)附加0.1-0.4毫克/升NAA的培養基上,每瓶3株。