結電容(junction capacitance)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:結電容
- 外文名:junction capacitance
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
結電容(junction capacitance)是1993年公布的電子學名詞。
在三極體的各個電極之間都存在結電容,在收音電路的中頻放大器和高頻放大器中,由於工作頻率高,三極體基極與集電極之間的結電容受到的影響大,如圖1-1所示。這一結電容在三極體的內部,處於基極與集電極之間,即C。雖然這一結電容很小,...
⑶結電容 指在一特定反向偏壓下,變容二極體內部PN結的電容。⑷結電容變化範圍 指反向電壓從零伏變化到某一值時,結電容變化的範圍。⑸品質因數(Q值)電容儲存的能量與損耗的能量之比值為該電容器的品質因數Q。變容而後跟具有內部電容...
當 SBD 加反向偏壓時,類似 PN 結二極體擊穿電壓限制肖特基勢壘管的最大阻斷電壓。對於 S-SBD 而言,外延層濃度增加,導通壓降減小,反向漏流變大,特徵導通電阻變小,結電容變大;並且 S-SBD隨著外延層厚度增加,導通壓降變大,反向...
1、變容二極體的作用是利用PN結之間電容可變的原理製成的半導體器件,在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。變容二極體屬於反偏壓二極體,改變其PN結上的反向偏壓,即可改變PN結電容量。反向偏壓越高,結電容則越少,反向偏壓與結電容...
這是因為G-S結電容上會充有少量電荷,建立起VGS電壓,造成再進行測量時錶針可能不動,只有將G-S極間電荷短路放掉才行。無標示管的判別 首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,餘下 兩個腳為第一柵極...
最高工作頻率是二極體工作的上限頻率。因二極體與PN結一樣,其結電容由勢壘電容組成。所以最高工作頻率的值主要取決於PN結結電容的大小。若是超過此值。則單嚮導電性將受影響。最大整流電流 最大整流電流是指二極體長期連續工作時,允許...
壓敏電阻的結電容一般在幾百到幾千Pf的數量級範圍,很多情況下不宜直接套用在高頻信號線路的保護中,套用在交流電路的保護中時,因為其結電容較大會增加漏電流,在設計防護電路時需要充分考慮。壓敏電阻的通流容量較大,但比氣體放電管小。
這個電壓將通過雙向可控矽內部的結電容,正反饋到柵極。如果超過雙向可控矽換向dv/dt指標(典型值10V/s將引起換向恢復時間長甚至失敗。單向可控矽(增強型SSR)由於處在單極性工作狀態,此時只受靜態電壓上升率所限制(典型值200V/ s),...
6.4MIS結構的電容電壓特性 6.4.1理想MIS結構電容 6.4.2理想MIS結構的CV特性 6.4.3功函式差及絕緣層中電荷對CV特性的影響 *6.5異質結 6.5.1異質結的分類 6.5.2突變異質結的能帶圖 6.5.3異質結的電流電壓特性 ...
7.8.1 結電容和充電時間 262 7.8.2 渡越時間效應 264 7.8.3 Webster效應 264 7.8.4 高頻電晶體 265 7.9 異質結雙極型電晶體 266 小結 267 習題 268 參考讀物 270 自我測驗 270 第8章 光電器件 272 8.1...
如利用PN結單嚮導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體,利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體;利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體;利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種...
對於MOS器件,在製作PMOS器件時使用N+埋層就要求外延層必須足夠厚,以避免過大的結電容和PMOS器件的背偏置體效應(back-bias body effect)。雙阱結構中的N阱不僅影響PMOS器件,而且也可作為NPN型BJT器件的集電極。因此,除了應充分保證...
主要由PN結的結電容及擴散電容決定,若工作頻率超過fm,則二極體的單嚮導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極體的fm為3kHz。另有快恢復二極體用於頻率較高的交流電的整流,如開關電源中。(6)反向恢復時間trr:指在規定的負載、...
2.2 反型異質結的注入特性 2.2.1 高注入特性 2.2.2 超注入特性 2.3 突變同型異質結 2.3.1 發射模型 2.3.2 擴散模型 2.3.3 雙Schottky二極體模型 2.4 突變異質結電容和電壓特性 2.4.1 突變反型異質結 2.4.2 ...
指出了主要影響因素。工藝技術方面;研製出新腐蝕液,成功實現了選擇性刻蝕;研究摸索出新的自對準、基極金屬化及微空氣橋隔離技術,減小了集電結電容、基區電阻和基極接觸電阻。上述研究有效提高了器件電流增益和高頻特性。
習題八 附錄 一、常用物理常數表 二、鍺、矽、砷化鎵、二氧化矽的重要性質(300K)三、矽與幾種金屬的歐姆接觸係數RC 四、鍺、矽電阻率與雜質濃度的關係 五、遷移率與雜質濃度的關係 六、擴散結勢壘寬度和結電容曲線 參考文獻 ...