《PNP型砷化鎵基異質結雙極電晶體研究》是依託西安電子科技大學，由嚴北平擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：PNP型砷化鎵基異質結雙極電晶體研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：嚴北平
- 依託單位：西安電子科技大學
- 批准號：69676033
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 支持經費：10.7（萬元）
中文摘要
全面完成了研究任務，研製出性能優良的GaAs基HBT ，β高於90，fT和 fmax分別超過22GHZ和33GHZ（射極2×15μm（2））。達到了國外同類器件研究水平，填補了國內空白。獲得下述創新和突破。理論方面：提出了實施了In組分緩變的InGaAs基區，有效減小了空穴基區渡越時間；建立了Cbc解析模型，量化了其與器件結構及電流的關係；研究了基區非合金接解阻抗，揭示了其與摻雜及頻率的規律；分析了各基極電流對β的影響，指出了主要影響因素。工藝技術方面；研製出新腐蝕液，成功實現了選擇性刻蝕；研究摸索出新的自對準、基極金屬化及微空氣橋隔離技術，減小了集電結電容、基區電阻和基極接觸電阻。上述研究有效提高了器件電流增益和高頻特性。
