SiC一維納米材料由於自身的微觀形貌和晶體結構使其具備更多獨特的優異性能和更加廣泛的套用前景，被普遍認為有望成為第三代寬頻隙半導體材料的重要組成單元。
基本介紹
- 中文名：納米碳化矽
- 化學符合：SiC
- 抗輻射能力：強
- 運用於：複合材料
- 特點：純度高，粒徑小，分布均勻
簡介,特點,用途,
簡介
SiC納米材料具有高的禁頻寬度，高的臨界擊穿電場和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為製作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。SiC 納米線表現出的室溫光致發光性，使其成為製造藍光發光二極體和雷射二極體的理想材料。近年來的研究表明：微米級SiC晶須已被套用於增強陶瓷基、金屬基和聚合物基複合材料，這些複合材料均表現出良好的機械性能，可以想像用強度硬度更高及長徑比更大的SiC 一維納米材料作為複合材料的增強相，將會使其性能得到進一步增強。SiC一維納米材料具有閾值場強低，電流密度大，高溫穩定性好等優異特點可望作為電場發射材料，利用這一特性可製成第三代新型電子光源，並將在圖像顯示技術方面發揮巨大作用。隨著研究的深入，研究者還發現一維SiC納米結構在儲氫、光催化和感測等領域都有廣泛的套用前景。
特點
，比表面積大，高表面活性，松裝密度低，具有極好的力學，熱學，電學和化學性能，即具有高硬度，高耐磨性和良好的自潤滑，高熱傳導率，低熱膨脹係數及高溫強度大等特點◆ 性能特點
1、納米碳化矽粉體具有純度高、粒徑分布範圍小、高比表面積等特點；
2、本產品具有化學性能穩定、導熱係數高、熱膨脹係數小、耐磨性能好等特點；3、顯微硬度為2840～3320kg/mm2, 其硬度介於剛玉和金剛石之間, 機械強度高於剛玉；
4、納米碳化矽具有優良的導熱性能，還是一種半導體，高溫時能抗氧化。
用途
1製造結構器件：如冶金，化工，機械，航天及能源等行業中使用的滑動軸承，液體燃料噴嘴，坩堝，大功率高頻率模具，半導體元器件等。
2.金屬及其它材料表面處理： 刀具，模具，耐熱塗層，散熱表面塗層，防腐塗層及吸波塗層等。
3.複合材料： 製備金屬基，陶瓷基，高分子基複合材料。
