《納米化合物半導體高效率電致發光和雷射的基礎研究》是依託北京大學，由戴倫擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：納米化合物半導體高效率電致發光和雷射的基礎研究
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：戴倫
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10774007
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 申請代碼：A2002
- 支持經費：43（萬元）
項目摘要
信息科學技術的發展要求用光子代替電子作為信息載體。相應地，微/納電子集成要向微/納光電子集成發展。迄今為止，人們還沒有找到在矽上實現微/納光電子集成的理想方法。半導體納米材料可以直接生長或通過簡單的方法分散在Si襯底上。通過自下而上的納米器件製備方法可將多種納電子和納光電子器件直接構建於Si襯底上。本項目將在現有的工作基礎上，深入研究實現直接禁帶化合物半導體納米線（帶）高效率電致發光和電泵雷射中一些基礎的關鍵性問題，如：最佳化電致發光和電泵雷射材料體系和器件結構，實現載流子布居反轉，提高增益，降低損耗，設計合適的諧振腔等。我們所研究的電致發光材料體系很容易與矽微電子集成，是實現高效率矽基電致發光和電泵雷射，發展矽基微/納光電子集成的一種新途徑，具有重要的科學意義。同時，在光互連、光通訊、高分辨微/納顯示等領域具有廣泛的套用前景。
