《窄禁帶半導體物理》是科學出版社出版的圖書,作者是褚君浩著
基本介紹
- 中文名:窄禁帶半導體物理
- 作者:褚君浩
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:2005年03月
- 定價:189 元
- ISBN:7030144147
《窄禁帶半導體物理》是科學出版社出版的圖書,作者是褚君浩著
《窄禁帶半導體物理學》是2005年03月01日科學出版社出版的圖書,作者是褚君浩。內容簡介 本書主要討論窄禁帶半導體的基本物理性質,包括晶體生長,能帶結構,光學性質,晶格振動,自由載流子的激發、運輸和複合,雜質缺陷,表面界面,二維電子氣,超晶格和量子阱,器件物理和套用等方面的基本物理現象、效應和規律以及近年...
窄禁帶半導體物理 《窄禁帶半導體物理》是科學出版社出版的圖書,作者是褚君浩著
《InN基窄帶隙半導體材料的加壓MOVPE生長與物性研究》是依託吉林大學,由張源濤擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 在InN的禁帶寬度從普遍接受的1.9eV進一步被認定為更窄的帶隙值0.64eV之後,近年來InN基材料已逐漸成為III族氮化物半導體材料中的研究熱點。但由於InN低的分解溫度和高的氮平衡蒸氣壓,製備高...
《光物理研究前沿系列:凝聚態光學研究前沿》是“十二五”國家重點圖書出版規劃項目“光物理研究前沿系列”之一,包括窄禁帶半導體的紅外光學性質及其套用、特異介質中的群速度圖像、光在金屬基界面的傳播特性研究、自旋電子材料的光動力學研究、低維氧化物結構中的光電物理研究、金屬超構材料中光波的磁回響與強耦合效應等...
窄禁帶半導體材料 窄禁帶半導體材料與器件研究 IV-VI族鉛鹽和碲鎘汞(HgCdTe)是兩類重要的窄禁帶半導體材料,
在石墨烯費米面附近,電子的能譜是線性的,並由此帶來了一系列有趣的物理性質。但是尋常條件下石墨烯沒有能隙,這是石墨烯套用化的障礙之一。近來已有實驗手段能產生一個小的能隙,使石墨烯變成窄禁帶半導體。由於禁帶的存在,這種石墨烯中可以通過加限制電壓來形成量子點。窄禁帶石墨烯中價帶頂和導帶底附近的電子...
近日,中國科學院半導體研究所的常凱研究員,博士生楊文基於多帶的有效質量理論,研究了窄禁帶半導體量子阱 自旋半導體中的自旋軌道耦合,發現自旋劈裂隨電子波矢的增加而呈現強烈的非線性關係。他們建立的新模型能夠很好地描述非線性行為,並給出了非線性起源的物理圖像。最近,他們同與美國史丹福大學張守晟教授合作,研究...
2009年2月作為大連化學物理研究所“百人計畫”引進人才加入催化基礎國家重點實驗室503組工作。個人簡介 研究員 碩士生導師 個人生涯 研究方向: 有機窄禁帶半導體材料合成、有機半導體材料及有機太陽能電池研究.主要研究介紹: 主要從事高遷移率有機半導體材料與有機光電子器件的研究工作,參與了多個國內外的重大科研項目...
因此發光效率很高,大注入下內量子效率幾乎達100%,高效率的電子-空穴對複合發光效應是一切半導體發光器件的物理基礎。器件分類 光電子器件可分為體光電子器件、正反向結光電子器件、異質結和多結光電子器件。體光電子器件 它是結構上最簡單的一類光電子器件。半導體材料吸收能量大於禁帶寬度的入射光子,激發出非平衡...
褚君浩主要研究固體物理、窄禁帶半導體物理。系統研究了窄禁帶半導體的基礎物理,在光學性質、電學性質、能帶結構、晶格振動、雜質缺陷、二維電子氣研究方面取得系統的研究成果,HgCdTe基礎物理部分研究成果具有國際領先水平。提出的禁頻寬度公式被國際上稱為CXT公式(褚、徐、湯)。柱鏡光柵 “隱身衣將成為現實”。2023年10...
1.窄禁帶半導體(Pb1-x Sn x)Te電子結構研究,被列為國家科技成果(證書號:001510)。2.高溫超導體晶格不穩定性和彈性性質的超聲及有關實驗研究,有關論文被引用170多次。獲國家教委科技進步二等獎(證書號:90-20001)。3.高溫超導天線的研製,研製成功我國首批高溫超導天線,獲國家教委科技進步三等獎(證書號...
截至2008年3月,湯定元已指導培養了9名博士、30多名碩士,1999年指導博士生劉坤的畢業論文《窄禁帶半導體光電性質及其二維特性研究》被評為全國優秀博士學位論文;三次被中國科學院評選為“優秀導師”。榮譽表彰 社會任職 湯定元兼任上海科技大學教授、技術物理系主任,曾任《紅外與毫米波學報》主編、《套用科學學報》副...
博士期間進行窄禁帶半導體材料缺陷的光譜研究,畢業後(包括在德Max-Born研究所博士後期間)也一直從事相關研究。研究方向:半導體材料/器件物理 (1) 半導體材料、量子光源、太陽光伏材料缺陷 (2) 低維結構自旋光譜 (3) 載流子超快複合動力學 研究手段:多維可調的光(電熱磁)及動力學研究系統。主講課程 本科生...
3.2 窄禁帶半導體 065 3.2.1 窄禁帶半導體物理的發展 065 3.2.2 HgCdTe體材料晶體生長 070 3.2.3 HgCdTe薄膜材料生長 072 3.2.4 窄禁帶半導體的能帶結構 074 3.3 鐵電材料 079 3.3.1 基本特性 080 3.3.2 主要鐵電材料分類 084 3.3.3 鐵電材料的製備 092 3.4 低維結構量子限制效應 102 3.4...
2001.9-2005.7 清華大學物理系 物理學 理學學士^2005.9-2010.7 清華大學物理系 物理學 理學博士^2010.7至今 廣西大學物理科學與工程技術學院 任教 研究方向 從事基本粒子理論研究, 包括量子色動力學的非微擾理論和超出標準模型的新物理 科研項目 強作用規範理論的動力學研究 窄禁帶半導體二維電子的自旋輸運量子調控...
陳熙仁,男,中國科學院大學專職教師。教育背景 2010-08--2015-06 中國科學院上海技術物理研究所 博士 2006-09--2010-06 華南理工大學 學士 研究方向 紅外光譜技術與系統、固體光譜學與半導體光電子物理 主要從事新型紅外調製光譜技術和窄禁帶半導體電子結構機理研究。發展多/變條件紅外調製光致發光譜和...