窄禁帶半導體材料

中文名稱窄禁帶半導體材料
英文名稱narrow band- gap semiconductor materials
定  義室溫下禁頻寬度小於0.26 eV的半導體。主要用於紅外光探測和紅外成像。
套用學科材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導體材料(三級學科)

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