《窄禁帶石墨烯中量子點相干電子輸運的理論研究》是依託華南師範大學,由楊謀擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名:窄禁帶石墨烯中量子點相干電子輸運的理論研究
- 項目類別:青年科學基金項目
- 項目負責人:楊謀
- 依託單位:華南師範大學
《窄禁帶石墨烯中量子點相干電子輸運的理論研究》是依託華南師範大學,由楊謀擔任項目負責人的青年科學基金項目。
《窄禁帶石墨烯中量子點相干電子輸運的理論研究》是依託華南師範大學,由楊謀擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要近幾年來,石墨烯(單層石墨)受到了學術界的普遍關注。石墨烯極好的機械性能,熱學性能,優良電學性質和新奇的量...
(2)研究發現外加電磁場或外加應力作用下石墨烯體系中Rabi振盪,Ramsey干涉等量子光學現象,提出石墨烯中電子輸運的量子調控方法,設計新型的量子電子器件和光電子器件;(3)利用shortcut to adiabaticity技術實現石墨烯體系中快速高保真的量子絕熱輸運和贗自旋的相干操控,並提出其在量子信息技術中的套用原理。
對於包括邊緣態的多種石墨烯介觀結構,計算其電子輸運譜(即:電導-費米能級譜和I-V特性譜),以確定邊緣態上的電子狀態和電子輸運譜的對應關係。從而實現如下研究目的:基於石墨烯邊緣態,建立單量子態操控和探測的新方案。結題摘要 本受資助課題針對石墨烯中的邊緣態的特性和調控開展了系統的理論研究。重點在於...
設計、計算與預測新型二維半導體:採用材料基因工程思路,設計與預測高性能的新型二維半導體材料(例如尋找以;MoS2為代表的兼具較高遷移率與一定禁帶寬度的MX2體系新型二維半導體);新型二維半導體材料可控制備:新型二維半導體的電學、光電性能研究:新型二維半導體器件研究:微電子器件,光電器件。材料製備設備:石墨烯薄膜...
揭示納米帶的量子尺寸效應與邊緣對其物理性質(禁帶寬度、電導率等)及輸運現象(庫倫阻塞、電子激發態等)的影響;實驗上探索規則邊緣引入的磁性邊緣態與自旋極化輸運,並在此基礎上研究外場對電子/自旋輸運的量子調控規律;實現高遷移率、高開關比的場效應器件以及納米帶pn結器件,為石墨烯納米帶在積體電路中的套用提供...
Majorana費米子作用明顯增強系統噪聲。當源-漏偏壓為零時,對稱輸運的泵浦電流為零,但是時間振盪電流關聯導致較為可觀的光子作用激發的動態噪聲譜。定域和非定域散射電流對總噪聲產生貢獻,微波場的作用導致了動態噪聲,通過操縱結構參數和時變外場強度進行控制石墨烯器件輸運性質和噪聲變化。
又由於禁帶窄,尋常溫度下熱激發的電子濃度高,費密能級很容易進入導帶,必須用費密-狄喇克統計來處理電子輸運過程。隨著費密能級的升高,反映前述的E(k)的非拋物線型性質,電子的有效質量、不是常數而是逐漸增大。 對於閃鋅礦結構的半導體(如InSb,Hg1-xCdxTe 等)導帶底的電子有效質量近似與禁頻寬度Eg成正比。Eg愈小...
.自旋偏壓的引入必然導致耦合量子點體系出現新的物理現象。如:由於利用自旋偏壓可以調控量子點上的自旋取向,因此在此條件下量子點體系中的自旋阻塞將有新的物理圖像,並值得深入探討。.完成本課題的相關研究內容,可以比較完備地描述自旋偏壓對耦合量子點體系中的電子及其自旋性質的影響,豐富量子輸運及自旋電子學理論。
被束縛的電子要成為自由電子或者空穴,就必須獲得足夠能量從價帶躍遷到導帶,這個能量的最小值就是禁帶寬度。零帶隙半導體材料-石墨烯 石墨烯是一種由碳原子周期性排列而成的具有六角型蜂窩狀晶格結構的二維材料,是只有一個碳原子厚度的平面薄膜,石墨烯的發現為探索低維電子系統的輸運和相互作用,建立量子相干碳基...
低維材料是以至少一個方向上為原子到納米尺度的量子點、納米晶、納米線、納米管、石墨烯、石墨炔及其他二維材料等為基本單元構築的新興材料體系,是當前凝聚態物理和材料科學的研究前沿,蘊含著精妙的理論、奇特的結構、獨*的性質和能源、信息、健康等領域的廣闊套用。《低維材料概論》簡要闡述了低維材料的理論基礎;...
實驗室擁有十個實驗和計算系統,分別從事極化材料功能薄膜、極化材料分子束外延、納米極化材料光電子、極化材料新功能器件、理論計算中心、極化材料和器件表征、寬波段多功能磁光光譜系統、時間分辨精密光譜、新型成像光譜和強磁場深低溫電子輸運研究。