碳納米管（CNT）是由碳原子組成的一種納米大小的管狀物質。其基本電學性質是：CNT的禁頻寬度可從金屬到半導體(0eV~1.1eV)變化（決定於CNT的直徑和製備工藝）；CNT可通過摻雜而成為n-型和p-型的半導體，並可形成p-n結；電子在CNT中的輸運是彈道式的，則CNT具有典型的量子線行為。
Carbon nano-metre tube FET （CNT- FET），碳納米管場效應電晶體：
碳納米管場效應電晶體就是用碳納米管作為導電溝道來構成一種FET，其製造工藝過程可以是（見圖示）：Si片氧化→ 在SiO2上蒸發並光刻Al柵極→ Al在空氣中自然氧化而形成nm厚的Al2O3 → 在Al2O3膜上用雷射燒灼法製備單壁碳納米管（SWCNT）→ 用原子力顯微鏡（AFM）選擇直徑約1nm的碳納米管置於Al柵極之上→ 用電子束印刷法將Au真空沉積在碳納米管的兩端而構成S和D極。這樣製成的CNT- FET是增強型的p溝道器件，增益可大於10。
實際上，現在CNT- FET的製造技術尚存在有很多問題，例如如何在特定位置上放置更多的碳納米管？如何能夠保證CNT三極體的性能一致？
碳納米管場效應電晶體
碳納米管場效應電晶體