碳納米管場效應器件製造技術基礎研究

碳納米管場效應器件製造技術基礎研究

《碳納米管場效應器件製造技術基礎研究》是依託上海交通大學,由張亞非擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 項目名稱:碳納米管場效應器件製造技術基礎研究
  • 批准號:60576064
  • 項目類別:面上項目
  • 申請代碼:F0406
  • 項目負責人:張亞非
  • 負責人職稱:教授
  • 依託單位:上海交通大學
  • 研究期限:2006-01-01 至 2006-12-31
  • 支持經費:7(萬元)
項目摘要
本項目基於碳納米管(CNT)的優異特性,研究製作具有高遷移率和高跨導傳輸溝道的CNT納米場效應管(CNTFET)和邏輯積體電路單元(主要包括:倒相器、非門和靜態存儲器SRAM)。CNTFET的製造採用微納米加工技術相結合的方法,電極部分利用超精細光刻工藝製作,傳輸溝道以半導體性質的CNT構成。我們在探索了高質量CNT大量製備和半導體性CNT與金屬性CNT的分離選取又進行了CNT操縱加工等預研工作的

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