場效應納米器件中表面/界面的行為與控制

場效應納米器件中表面/界面的行為與控制

《場效應納米器件中表面/界面的行為與控制》是依託上海交通大學,由張亞非擔任項目負責人的重點項目。

基本介紹

  • 中文名:場效應納米器件中表面/界面的行為與控制
  • 項目類別:重點項目
  • 項目負責人:張亞非
  • 依託單位:上海交通大學
  • 負責人職稱:教授
  • 申請代碼:E0512
  • 研究期限:2008-01-01 至 2011-12-31
  • 批准號:50730008
  • 支持經費:180(萬元)
項目摘要
利用準一維半導體性納米材料構築的場效應納米器件具有性能優異、製造工藝簡單、用途廣闊和可構成多類器件的優勢,有可能發展為納米器件的主流類型。由於這類納米器件的表面和界面尺寸納米化的結果,使得表面層上和界面層上的結構和性能表現出特異性。近年來,本項目組在碳納米管、矽納米線和碳化矽納米晶須的製備、提純、分散、修飾、排布、焊接和場效應管納米器件構築等方面做了大量探索性研究工作,擬進一步深入研究和對比分析半導體性碳納米管、矽納米線和碳化矽納米晶須構築的肖特基勢壘場效應管納米器件的表面和界面行為及其對器件性能的影響和控制問題,研究納米材料與金屬電極的接觸界面層結構和性能以及最佳化的納米焊接形成方法,研究內容主要包括:(1)納米器件表面層和界面層的結構和表現出的特異性,(2)半導體納米材料與金屬電極接觸界面肖特基勢壘結或者歐姆接觸界面的形成條件和可靠性;(3)納米器件結構的最佳化設計和構築製作技術。

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