《硬面光掩模基板》 是1996年8月1日實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名：硬面光掩模基板
- 外文名：Hard surface photomask substrates
- 標準號：GB/T 15871-1995
- 標準類別：產品
編制進程,起草工作,
編制進程
1995年12月22日，《硬面光掩模基板》發布。
1996年8月1日，《硬面光掩模基板》實施。
起草工作
主要起草單位：長沙韶光微電子總公司 。
《硬面光掩模基板》 是1996年8月1日實施的一項中國國家標準。
硬面光掩模基板 《硬面光掩模基板》 是1996年8月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 1995年12月22日，《硬面光掩模基板》發布。1996年8月1日，《硬面光掩模基板》實施。起草工作 主要起草單位：長沙韶光微電子總公司 。
《硬面光掩模用鉻薄膜》 是1996年8月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 1995年12月22日，《硬面光掩模用鉻薄膜》發布。1996年8月1日，《硬面光掩模用鉻薄膜》實施。起草工作 主要起草單位：長沙韶光微電子總公司 。
掩模基板是指石英襯底(約1/4英寸厚)已經沉積有Cr、MoSi等功能材料的基板。掩模基板一般有專門的公司按技術規格提供,掩模生產商收到後直接用來製備掩模。中文名 掩模基板 外文名 mask blank 掩模基板 [1] 半導體庵模版工藝中,準備用乾...
光掩膜除了套用於晶片製造外，還廣泛的套用與像LCD，PCB等方面。常見的光掩膜的種類有四種，鉻版(chrome)、乾版，凸版、液體凸版。主要分兩個組成部分，基板和不透光材料。基板通常是高純度，低反射率，低熱膨脹係數的石英玻璃。鉻版的...
硬掩模(Hard Mask)是一種通過CVD(Chemical Vapor Deposition, CVD)生成的無機薄膜材料。硬掩模(Hard Mask)是一種通過CVD(Chemical Vapor Deposition, CVD)生成的無機薄膜材料。其主要成分通常有TiN、SiN、SiO2等。硬掩模主要運用於多重...
光掩膜 光掩膜除了套用於晶片製造外，還廣泛的套用與像LCD，PCB等方面。常見的光掩膜的種類有四種，鉻版(chrome)、乾版，凸版、液體凸版。主要分兩個組成部分，基板和不透光材料。基板通常是高純度，低反射率，低熱膨脹係數的石英玻璃。
SEMI P21—92《掩模曝光系統精密度和準確度的表示準則》是其中的一項，它將與已經轉化的SEMI P1—92《硬面光掩模基板》、SEMIP2—86《硬面光掩模用鉻薄膜》、SEMI P3—90《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子抗蝕劑》、SEMI P4—92《...
掩模上的吸收層（absorber）隨溫度的熱脹冷縮（thermal expansion）會在掩模表面形成應力，掩模保護膜（pellicle）的蒙貼也會產生應力，這些應力的存在會導致掩模基板發生雙折射，稱為掩模基板雙折射。掩模基板雙折射如圖1所示，雙折射產生兩束...
下平行板：作為濺鍍對象的玻璃基板。（2）將氬氣（Ar 2 ）通入反應艙中形成電漿；氬離子（Ar + ）在電場中被加速後衝撞靶材；受衝擊的靶材原子會沉積在玻璃基板上從而形成薄膜。工藝過程 1） 繪製生成設備可以識別的掩膜版版圖...
掩模製作技術，半導體工藝技術中製作光刻工藝用的光複印掩蔽模版的技術，亦稱製版技術。製版技術 掩模製作技術是半導體工藝技術中製作光刻工藝用的光複印掩蔽模版的技術。光掩模版 半導體積體電路製作過程通常需要經過多次光刻工藝，在半導體晶體...
灰度掩模是一種光掩模,與二元掩模不同之處在於:灰度掩模在掩模平面不同位置可以提供變化的透過率,單一灰度掩模可以含有一組二元掩模的位相信息,在經過一次光刻過程和刻蝕過程後得到所需要的衍射光學元件。
適用於高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、積體電路光掩模等方面的精密拋光。氧化鋁和碳化矽拋光液 是以超細氧化鋁和碳化矽微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。主要用於高精密光學儀器、硬碟基板、磁頭、...