砷銻化鋁錮

周期表第皿、V族 元索化合物半導體。為混合晶體，閃鋅礦型結構。存在間接 帶隙半導體區，可在磷化錮、砷化鋼襯底上用液相外延、分子 束外延等方法製備。用於製作從0.6拜m可見光到如rn紅外 光發光器件和雷射器件。