砷銻化鋁鎵

周期表第m、V族元素化合物半導體。立方品系閃鋅礦型結構.、晶格常數和禁 頻寬度隨二、夕變化，存在間接帶隙半導體區。可在銻化缽、 砷化錮、磷化錮襯底上用分子束外延、液相外延等方法製備二 為製作紅外發光器件、雷射器件和探測一器件的材料。