矽鍺的性質

內容簡介

《矽鍺的性質》共七章，第一章綜述了SiGe應變層系統的一些總體性質；第二章至第六章給出了應變的和弛豫的SiGe合金的具體材料性質，論述了SiGe材料的結晶學、異質結構、熱學性質、力學和晶格振動、能帶結構、輸運特性、磁學特性、表面性質、光吸收和光譜等方面的內容；第七章介紹了一些代表性的SiGe/Si器件的結構和特性。

《矽鍺的性質》是半導體領域的學者和工程技術人員的必讀書，適於材料專業和半導體專業的科技人員、研究生、博士生閱讀，還可供物理領域中的廣大科技人員作為手冊進行查閱。

繼Si之後，SiGe/Si是研究得最多、最深入的一類Si基異質材料。應變的和弛豫的SiGe已經成為電子積體電路和光電子積體電路的非常重要的材料。

作者簡介

譯者：余金中編者：(德國)卡斯珀 (Erich Kasper) 合著者：王杏華王莉夏永偉

Erich Kasper（卡斯珀），自1994年以來一直擔任德國斯圖加特大學半導體研究所所長，長期從事量子電子器件的理論和納米結構自組織的器件結構MBE研究工作，在SiGe的研究領域具有很高的國際聲望，並有兩本專著和近百篇論文發表。

圖書目錄

第一章引言

1.1 應力引起的外延薄膜的形貌不穩定性和成島

1.2 SiGe/Si系統中失配位錯網路的平衡理論

1.3 SiGe/Si系統中亞穩應變層的結構

第二章結構特性

2.1 SiGe合金系的晶體結構、晶格常數和固一液相圖

2.2 SiGe合金的有序性

2.3 Si/Ge界面：結構、能量和互擴散

第三章熱學、力學和晶格振動學性質

3.1 SiGe的彈性常數

3.2 SiGe的熱力學性質

3.3 SiGe中的光學聲子、聲學聲子和Raman光譜

第四章能帶結構

4.1 SiGe的能隙和能帶結構及它們同溫度的依賴關係

4.2 應變對SiGe價帶結構的影響

4.3 應變對SiGe導帶結構的影響

4.4 SiGe中的有效質量

4.5 SiGe異質結和帶偏移

4.6 SiGe的光譜

4.7 弛豫的SiGe合金的光學函式及應變對光學函式的影響

第五章運輸特性

5.1 SiGe/Si 系中的電子和空穴的遷移率

5.2 Si/SiGe 異質結的注入

5.3 SiGe/Si 結構中的磁運輸特性

第六章表面性質

第七章 Si 基器件的結構和重要數據集錦

圖書序言

發明了雙極電晶體之後，經過幾年時間，電子半導體的基本材料由鍺變為矽。就是在1960年前後的這一轉變時期，人們對無應變的SiGe合金體材料產生了相當的興趣。自1985年起，分子束外延等先進外延生長技術使得在Si襯底上生長高質量薄膜的應變SiGe層成為可能。製成的SiGe/Si結構大大刺激了對矽基異質結構的研究，之後的幾年內，研製出了最快的矽基電晶體，並顯示出了許多令人神往的機遇。
本書將滿足讀者三種不同的要求。第一章綜述了需要注意的應變層系統的一些總體性質。SiGe/Si異質結構中，Si和Ge具有類似的化學特徵，使其化學效應降至最低，因此，在應力的驅動下，這種異質結構會產生一些物理現象，我們可以將其看作是典型的系統。

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基本介紹

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